[发明专利]具有阵列电熔丝的半导体集成电路及其驱动方法

说明书

本发明公开了一种半导体集成电路及其驱动方法。半导体集成电路包括：正常熔丝单元阵列，其被编程具有正常熔丝数据；虚设熔丝单元阵列，其被编程具有验证熔丝数据；以及传感器，其被配置成从虚设熔丝单元阵列读取验证熔丝数据且从正常熔丝单元阵列读取正常熔丝数据，其中正常熔丝单元阵列被配置成根据虚设熔丝单元阵列的读取结果来被读取。

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年4月30日申请的韩国专利申请No.10-2012-0045443的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种半导体集成电路设计技术，且更具体而言，涉及一种具有阵列电熔丝（array e-fuse，ARE）的半导体集成电路及驱动所述半导体集成电路的方法。

背景技术

半导体集成电路包括具有相同图案的电路且还包括冗余电路，使得尽管一些电路由于工艺变量而具有故障，但半导体集成电路仍可用作正常产品。

具体地，半导体存储装置通常包括集成在一个芯片中的大量存储器单元，且如果在任何一个存储器单元中存在故障，则存储芯片被视为有缺陷产品且作废。随着半导体集成电路的集成度增加，在有限尺寸的芯片内集成了更多的存储器单元。在此状态下，如果在任何一个存储器单元中出现故障且如果整个存储芯片经判定为缺陷产品，则成品率受损。为了解决此问题，半导体存储装置通常配备熔丝电路和冗余单元阵列。

同时，当要设定根据半导体集成电路的测试所确定的特定值时使用熔丝电路。

典型的熔丝电路使用线型金属激光熔丝，且通过用激光束选择性地断开金属线来对熔丝编程。换言之，半导体集成电路根据熔丝是否熔断而被提供期望的信息。

然而，归因于线间间距随半导体集成电路的集成度增加而减小，激光熔丝电路的生产在设备上不断耗费投资且花费很多时间用于熔丝编程。此外，熔丝阵列所占的面积很大，且编程是在晶片阶段而不是在封装阶段执行的。

因此，经常用电熔丝来替换激光熔丝以应对激光熔丝的上述特征。电熔丝基本上具有晶体管的形式且通过将高电场施加至栅极且使栅绝缘层断裂来对电熔丝编程。

尽管可以多种形式实现电熔丝电路，但普遍使用具有形成为阵列的单位熔丝单元的阵列电熔丝（ARE）电路。一般而言，当半导体集成电路执行初始化操作即加电操作时，读取编程在ARE电路中的数据且随后将该数据储存在寄存器中，且使用所储存的数据。将编程的ARE数据储存在寄存器中的操作被称为启动（boot-up）操作。

目前，在初始化操作期间基于从外部输入的复位信号来初始化启动操作。诸如双数据速率3动态随机存取存储器（DDR3 DRAM）装置的存储装置在规范上支持外部复位功能，且根据DDR3 DRAM的规范，在将外部复位信号RESETB使能为逻辑低电平之后，在期望的时间例如约500μs内没有命令被施加至存储装置。因此，存储装置在该时间期间不执行任何其他操作。如果存储装置在由外部复位信号所规定的时间内执行启动操作，则无故障发生。

然而，不支持外部复位功能的半导体集成电路可能无法保证用于对阵列电熔丝稳定地执行启动操作的时间。

发明内容

本发明的一个实施例涉及一种半导体集成电路及其驱动方法，即使所述半导体集成电路不支持外部复位功能，所述半导体集成电路仍可对阵列电熔丝稳定地执行启动操作。

根据本发明的一个实施例，一种半导体集成电路包括：正常熔丝单元阵列，所述正常熔丝单元阵列被编程具有正常熔丝数据；虚设熔丝单元阵列，所述虚设熔丝单元阵列被编程具有验证熔丝数据；以及传感器，所述传感器被配置成从所述虚设熔丝单元阵列读取验证熔丝数据且从正常熔丝单元阵列读取正常熔丝数据，其中，正常熔丝单元阵列被配置成根据虚设熔丝单元阵列的读取结果来被读取。