[发明专利]半导体发光装置及其封装结构有效
| 申请号： | 201210401928.1 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102903832A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 许嘉良 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/60;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 封装 结构 | ||
1.一种半导体发光装置，包含：
一半导体发光叠层；
一透明胶材，仅位于该半导体发光叠层的一侧；
一波长转换结构，位于该透明胶材之中或其上；及
一反射壁，位于该透明胶材的侧边。
2.一种半导体发光装置，包含：
一半导体发光叠层；
一透明胶材，仅位于该半导体发光叠层的一侧；
至少一种波长转换材料，分散于该透明胶材之中；及
一反射壁，位于该透明胶材的侧边。
3.一种半导体发光装置，包含：
一半导体发光叠层；
一波长转换结构，位于该半导体发光叠层之上；及
一反射壁，位于该波长转换结构的侧边。
4.如权利要求1或2所述的半导体发光装置，其中该透明胶材的面积不大于该半导体发光叠层的面积。
5.如权利要求1或2所述的半导体发光装置，其中该透明胶材的厚度至少为0.3mm。
6.如权利要求1或3所述的半导体发光装置，其中该波长转换结构包含一非电绝缘性材料。
7.如权利要求1、2或3所述的半导体发光装置，其中该反射壁位于该半导体发光叠层的侧边。
8.如权利要求1、2或3所述的半导体发光装置，还包含一电极，位于该半导体发光叠层之上，且未被该透明胶材所覆盖。
9.如权利要求1、2或3所述的半导体发光装置，还包含一接合层位于该半导体发光叠层之下。
10.如权利要求9所述的半导体发光装置，还包含一基板，位于该接合层之下。
11.如权利要求10所述的半导体发光装置，还包含一反射层，位于该基板及该半导体发光叠层之间。
12.如权利要求11所述的半导体发光装置，还包含一导电氧化物材料，位于该基板及该半导体发光叠层之间。
13.如权利要求2所述的半导体发光装置，其中该至少一种波长转换材料包含一种非电绝缘性材料。
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