[发明专利]电子器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210400808.X 申请日: 2012-10-19
公开(公告)号: CN103137385A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 中谷忠司;奥田久雄;胜木隆史 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01H59/00 分类号: H01H59/00;H01H57/00;H01H11/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李玉锁;张浴月
地址: 日本国神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子器件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本文讨论的实施例涉及一种电子器件及其制造方法。

背景技术

在诸如移动电话等电子装置中,对MEMS(微电子机械系统)技术的应用日益增长,以进一步小型化其上安装的电子器件。应用MEMS技术制造的电子器件例如可以包括MEMS开关、微镜片元件和加速度传感器等。

在这些部件之中,MEMS开关与半导体开关相比具有如下优越特性:实现较小的信号损耗;具有更好的绝缘特性;以及导致信号失真的可能性更小。优选地,使这类MEMS开关的这些特性得到进一步提高。

在日本特开第2004-281412号公报和日本特开第2007-188866号公报的文献中公开了涉及背景技术的技术。

发明内容

本发明的目的在于在电子器件及该电子器件的制造方法领域中提高电子器件的特性。

根据本文所讨论的一个方案,提供一种电子器件,包括:基材;横梁,可弹性变形以向上弯曲,并且具有由形成在该基材中的缝隙部分限定的轮廓;导电图案,设置在该横梁的顶面上;接触电极,设置在该导电图案上方,该接触电极能接触(come into contact with)该导电图案;以及可弹性变形的桥电极,该桥电极将该导电图案和该基材的位于该轮廓之外的部分连接。

此外,根据本文所讨论的另一个方案,提供一种电子器件,包括:基材;横梁,可弹性变形以向上弯曲,并具有固定至该基材的一个端部和另一个端部,该横梁包括靠近该一个端部的第一部分和靠近该另一个端部的第二部分;导电图案,设置在该横梁的第二部分的顶面上;以及接触电极,设置在该导电图案的上方,并且能接触该导电图案,其中该横梁的第二部分的厚度小于该第一部分的厚度,且该横梁的第二部分的长度小于该第一部分的长度。

另外,根据本文所讨论的再一个方案,提供一种制造电子器件的方法,包括以下步骤:在基材中形成缝隙,以通过该缝隙限定横梁的部分轮廓,该横梁可弹性变形以向上弯曲;在该横梁的顶面上形成导电图案;在该导电图案的上方形成接触电极,该接触电极能接触该导电图案;以及形成桥电极,该桥电极可弹性变形并且将该导电图案和该基材的位于该轮廓之外的部分连接。

附图说明

图1是示出具有两个触点的MEMS开关的实例的分解立体图;

图2是示出仅具有一个触点的MEMS开关的实例的立体图;

图3是根据第一实施例的电子器件的立体图;

图4是根据第一实施例的电子器件的放大平面图;

图5是根据第一实施例的电子器件的总体平面图;

图6是用于解释根据第一实施例的电子器件的开关操作的剖视图;

图7是在开关接通(on)状态下沿图5中的线III-III截取的剖视图;

图8是用于计算横梁和桥电极各自的弹簧常数的模型的立体图;

图9A至图9M的每一个均是在根据第一实施例的电子器件的制造过程中的电子器件的剖视图;

图10A至图10D的每一个均是在根据第一实施例的电子器件的制造过程中的电子器件的平面图;

图11是根据第一实施例的比较例的电子器件的平面图;

图12是根据第二实施例的电子器件的平面图;

图13是用于解释根据第二实施例的电子器件的操作的剖视图;

图14是根据第三实施例的电子器件的平面图;

图15是根据第四实施例的电子器件的平面图;

图16是沿图15中的线V-V截取的剖视图;

图17是根据第五实施例的电子器件的平面图;

图18是用于解释根据第五实施例的电子器件的开关操作的剖视图;

图19A至图19E的每一个均是在根据第五实施例的电子器件的制造过程中的电子器件的剖视图;

图20A至图20C的每一个均是在根据第五实施例的电子器件的制造过程中的电子器件的平面图;

图21是根据第五实施例的比较例的电子器件的平面图;

图22是根据第六实施例的电子器件的平面图;

图23是沿图22中的线IX-IX截取的剖视图;

图24是示出减小第六实施例中的横梁厚度的方法的实例的剖视图;

图25是示出根据第六实施例的电子器件的另一个实例的平面图;以及

图26是沿图25中的线X-X截取的剖视图。

具体实施方式

在描述实施例之前,先对本发明的实施例进行初步解释。

图1是示出具有两个触点的MEMS开关的实例的分解立体图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210400808.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top