[发明专利]电子器件及其制造方法有效
申请号: | 201210400808.X | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN103137385A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 中谷忠司;奥田久雄;胜木隆史 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01H59/00 | 分类号: | H01H59/00;H01H57/00;H01H11/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李玉锁;张浴月 |
地址: | 日本国神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子器件,包括:
基材;
横梁,可弹性变形以向上弯曲,并且具有由形成在该基材中的缝隙部分地限定的轮廓;
导电图案,设置在该横梁的顶面上;
接触电极,设置在该导电图案的上方,该接触电极能接触该导电图案;以及
可弹性变形的桥电极,该桥电极将该导电图案与该基材的位于该轮廓之外的部分连接。
2.根据权利要求1所述的电子器件,还包括:
接地图案,形成在该基材的位于该轮廓之外的部分中;以及
接地电极,在该横梁上方从该接地图案延伸。
3.根据权利要求2所述的电子器件,其中
设置多个所述接地图案,以及
所述多个接地图案通过该接地电极彼此连接。
4.根据权利要求2所述的电子器件,其中
该横梁具有固定至该基材的一个端部和另一个端部,并且该横梁包括靠近该一个端部的第一部分和靠近该另一个端部的第二部分,以及
该第一部分的宽度宽于该第二部分的宽度。
5.根据权利要求4所述的电子器件,其中该导电图案以容纳于该横梁的第二部分内的尺寸设置。
6.根据权利要求4所述的电子器件,其中该另一个端部设置有宽度窄于该第二部分的窄部。
7.根据权利要求4所述的电子器件,其中该横梁的第一部分设置有通过将下部电极、压电膜和上部电极按上述顺序堆叠而形成的压电元件。
8.根据权利要求7所述的电子器件,其中该下部电极还被用作所述接地图案。
9.根据权利要求7或8所述的电子器件,其中在该横梁的比该第二部分更靠近该另一个端部的部分中设置第三部分,该第三部分的宽度宽于该第二部分。
10.根据权利要求7至9中的任一项所述的电子器件,其中
该接地电极位于该上部电极的上方,
在该下部电极与该上部电极之间施加第一驱动电压,以及
在该上部电极与该接地电极之间施加第二驱动电压。
11.根据权利要求2所述的电子器件,还包括:
第一驱动电极,设置在该横梁的第一部分的顶面上;以及
第二驱动电极,设置在该第一驱动电极的上方,在该第二驱动电极与该第一驱动电极之间施加驱动电压。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的电子器件,其中该桥电极的延伸方向与该桥电极下方的缝隙的延伸方向正交。
13.根据权利要求12所述的电子器件,其中所述导电图案的延伸方向与该桥电极的延伸方向正交。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的电子器件,其中该桥电极在位于该缝隙上方的区域中的厚度小于该接触电极在位于该缝隙上方的区域中的厚度。
15.根据权利要求1至14中的任一项所述的电子器件,其中
该基材是SOI(绝缘体上硅)基板,在该SOI基板中氧化硅膜和硅膜按上述顺序形成在硅基板上,以及
该横梁是该硅膜的一部分,并且通过移除位于该横梁下方的硅基板和氧化硅膜而形成。
16.根据权利要求1至15中的任一项所述的电子器件,其中该接触电极具有接触该导电图案的单个突起。
17.一种电子器件,包括:
基材;
横梁,可弹性变形以向上弯曲,并且具有固定至该基材的一个端部和另一个端部,该横梁包括靠近该一个端部的第一部分和靠近该另一个端部的第二部分;
导电图案,设置在该横梁的第二部分的顶面上;以及
接触电极,设置在该导电图案的上方,并且能接触该导电图案,其中
该横梁的第二部分的厚度小于该第一部分的厚度,且该横梁的第二部分的长度小于该第一部分的长度。
18.根据权利要求17所述的电子器件,其中该横梁的第一部分设置有压电元件,在该压电元件中下部电极、压电膜和上部电极按上述顺序形成。
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