[发明专利]一种具有大调谐范围的高频压控振荡器

权利要求书

1.一种具有大调谐范围的高频压控振荡器，其特征在于，包括：谐振电路、负阻电路、电流源电路和缓冲电路；

所述谐振电路，用于产生压控振荡器的振荡信号，所述谐振电路为电感电容式谐振电路，其中的电容采用MOS容抗管；

所述负阻电路，用于产生负阻，以抵消所述谐振电路产生的正阻；

所述电流源电路，用于产生压控振荡器工作的电流；所述电流源电路包括第七MOS管；所述第七MOS管的源极接地，所述第七MOS管的漏极连接所述负阻电路；所述第七MOS管的栅极连接第三控制电压；

所述缓冲电路，用于将所述谐振电路产生的振荡信号进行缓冲后输出，以与外界信号进行隔离；所述缓冲电路包括：第三双极型晶体管、第四双极型晶体管、第五双极型晶体管、第六双极型晶体管、第七电容、第八电容、第五电阻和第六电阻；

所述第三双极型晶体管的基极连接第三节点，集电极连接电源，发射极连接第五节点；

所述第四双极型晶体管的基极连接第四节点，集电极连接所述电源，发射极连接第六节点；

所述第七电容的一端连接所述第五节点，另一端连接所述第五双极型晶体管的基极；

所述第五双极型晶体管的集电极连接所述电源，发射极通过所述第五电阻接地；

所述第八电容的一端连接所述第六节点，另一端连接所述第六双极型晶体管的基极；

所述第六双极型晶体管的集电极连接所述电源，发射极通过所述第六电阻接地；

所述第五双极型晶体管的发射极为压控振荡器的第一输出端，所述第六双极型晶体管的发射极为压控振荡器的第二输出端；其中，

所述第三节点为所述谐振电路与所述缓冲电路的第一相接点；所述第四节点为所述谐振电路与所述缓冲电路的第二相接点；

所述第五节点为缓冲电路与负阻电路的第一相接点；所述第六节点为缓冲电路与负阻电路的第二相接点。

2.根据权利要求1所述的具有大调谐范围的高频压控振荡器，其特征在于，所述谐振电路包括：差分电感、第一MOS容抗管、第二MOS容抗管、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻；

所述差分电感的一端连接第三节点，另一端连接第四节点；所述差分电感的抽头连接电源；

所述第一MOS容抗管的漏极和源极均连接第一控制电压，所述第二MOS容抗管的漏极和源极均连接所述第一控制电压；

所述第一MOS容抗管的栅极连接第一节点，所述第二MOS容抗管的栅极连接第二节点；

所述第一电阻的两端分别连接所述第一节点和地；所述第二电阻的两端分别连接所述第二节点和地；

所述第三电容的两端分别连接所述第一节点和第三节点，所述第四电容的两端分别连接所述第二节点和第四节点；

所述第三节点为所述谐振电路与所述缓冲电路的第一相接点，输出第一谐振信号；所述第四节点为所述谐振电路与所述缓冲电路的第二相接点，输出第二谐振信号。

3.根据权利要求1所述的具有大调谐范围的高频压控振荡器，其特征在于，所述负阻电路包括：第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第五电容、第六电容、第三电阻、第四电阻和第九电容；

所述第一双极型晶体管的集电极连接第五节点，发射极连接所述电流源电路，基极通过所述第三电阻连接第二控制电压；

所述第二双极型晶体管的集电极连接第六节点，发射极连接所述电流源电路，基极通过所述第四电阻连接所述第二控制电压；

所述第九电容的两端分别连接所述第二控制电压和地；

所述第五电容的一端连接所述第五节点，另一端连接所述第二双极型晶体管的基极；

所述第六电容的一端连接所述第六节点，另一端连接所述第一双极型晶体管的基极；其中，

所述第五节点为缓冲电路与负阻电路的第一相接点；所述第六节点为缓冲电路与负阻电路的第二相接点。

4.根据权利要求2所述的具有大调谐范围的高频压控振荡器，其特征在于，所述第一MOS容抗管和第二MOS容抗管工作于积累区或耗尽区。

5.根据权利要求2所述的具有大调谐范围的高频压控振荡器，其特征在于，所述第三电容和第四电容的容值比所述第一MOS容抗管和第二MOS容抗管的容值至少大十倍。

6.根据权利要求3所述的具有大调谐范围的高频压控振荡器，其特征在于，第一双极型晶体管和第二双极型晶体管工作于正向工作区。