[发明专利]一种超薄非接触模块用载带、非接触模块以及封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子半导体封装技术领域，特别涉及用于非接触智能卡模块封装的载带，利用该载带封装形成的模块以及相应的封装方法。 

背景技术

随着集成电路封装技术的不断进步，集成电路的集成度日益提高，功能越来越丰富。用户对产品的需求日渐超薄化、微型化，对于不断出现的新应用需求，要求集成电路封装企业能设计出新型的封装形式来配合新的需求。 

目前，传统的非接触模块制作时芯片的磨片厚度为0.15mm，条带厚度为0.075mm-0.085mm，其模块总厚度为0.30mm-0.40mm，其无法满足特殊的应用需要，如护照电子标签、签证电子标签等应用，传统的非接触模块不能有效发挥其作用，势必需要通过新的超薄的非接触模块形式来实现。因此，超薄的非接触模块的开发迫在眉睫。 

目前的非接触模块所应用的领域局限于智能卡及普通的智能标签中，而对于超薄的非接触模块可以克服厚度超标的问题，应用于各种高要求的、苛刻的环境中，目前在国际上都是空白。 

发明内容

本发明针对现有非接触模块的总厚度过高，无法满足照电子标签、签证电子标签等特殊应用的需要，而提供一种用于封装超薄非接触模块的载带。基于该载带能够封装成满足特殊应用需求的超薄模块。 

为了达到上述目的，本发明采用如下的技术方案： 

一种超薄非接触模块用载带，所述载带由若干载体阵列相接而成，每个载体上设置有芯片承载区和若干芯片焊线区域，所述载体的厚度为0.06mm-0.07mm，由此相接形成厚度为0.06mm-0.07mm的载带。 

在载带方案的优选实例中，所述载带上沿其宽度方向分布的每列载体之间 开设有定位孔，同时载带的上下两侧沿其长度方向设置匀距设置有若干定位孔。 

进一步的，所述载体上若干焊线区域对称分布在芯片承载区域两端。 

再进一步的，所述芯片承载区域两端的焊线区域呈连续台阶状结构。 

进一步的，所述芯片承载区域的四周分布有若干封装用通孔。 

再进一步的，所述通孔上近芯片承载区的边缘为半蚀刻结构。 

进一步的，所述在载带为连排卷状结构。 

作为本发明的第二目的，本发明还提供一种超薄非接触模块，所述非接触模块包括非接触芯片、用于承载芯片的载体以及用于封装的模塑体，其中，载体采用上述的载体，所述非接触芯片安置在载体的芯片承载区上，非接触芯片上的功能焊盘通过引线与载体上的芯片焊线区域相接，所述模塑体将非接触芯片封装在载体上形成厚度为0.24mm-0.26mm的超薄非接触模块。 

在超薄非接触模块方案的优选实例中，所述非接触芯片的厚度为0.05mm-0.07mm。 

进一步的，所述非接触芯片通过粘接剂安置在载体的芯片承载区上。 

进一步的，所述非接触芯片通过引线与载体相接时通过超声焊接进行电性连接。 

进一步的，所述模塑体采用注塑工艺实现非接触芯片与载体的封装。 

进一步的，所述模塑体呈矩形，四个角为圆角，厚度为0.26mm，封装面积为72mm*75mm，封装面积占载体表面积的55% 

作为本发明的第三目的，本发明还提供一种超薄非接触模块的封装方法，该方法包括如下步骤： 

（1）用自动芯片装载设备（Die Bonder）将非接触芯片安装到载带上每个载体的芯片承载区内，非接触芯片与载体的芯片承载区之间通过粘结剂粘结； 

（2）用自动焊线设备（Wire Bonder）将通过超声波方式将非接触芯片的功能焊盘和用于承载的载体上相应的引脚焊盘牢固地连接在一起； 

（3）将焊接好的芯片和载体放入到模塑封装设备上的注塑模具中进行模塑封装，模塑封装设备中通过高温高压将模塑料融化后注塑到注塑模具内的模塑腔体内，将非接触芯片、引线以及载体包封在模塑体内，等模塑料冷却固化 后脱膜形成的封装品，并多余的模塑料。 

在模塑封装方法的方案中，所述粘结剂采用导电银胶或者非导电银胶或者芯片粘贴膜。 

进一步的，所述步骤（3）中模塑封装工艺采用的注塑模具包括上模和下模，所述下模光滑平整用于放置完成芯片与相应载体焊接的载带；所述上模与下模配合形成若干与载带上待封装芯片相对应的模塑腔体，同时上模中开设有若干注塑窗，每个注塑窗对应于每个模塑腔体。 

再进一步的，所述步骤（3）进行模塑封装时，采用的模塑料填充颗粒尺寸为1um-53um。