[发明专利]一种超薄非接触模块用载带、非接触模块以及封装方法

权利要求书

1.一种超薄非接触模块用载带，所述载带由若干载体阵列相接而成，每个载体上设置有芯片承载区和若干芯片焊线区域，其特征在于，所述载体的厚度为0.06mm-0.07mm，由此相接形成厚度为0.06mm-0.07mm的载带。

2.根据权利要求1所述的一种超薄非接触模块用载带，其特征在于，所述载带上沿其宽度方向分布的每列载体之间开设有定位孔，同时载带的上下两侧沿其长度方向设置匀距设置有若干定位孔。

3.根据权利要求1所述的一种超薄非接触模块用载带，其特征在于，所述载体上若干焊线区域对称分布在芯片承载区域两端。

4.根据权利要求3所述的一种超薄非接触模块用载带，其特征在于，所述芯片承载区域两端的焊线区域呈连续台阶状结构。

5.根据权利要求1所述的一种超薄非接触模块用载带，其特征在于，所述芯片承载区域的四周分布有若干封装用通孔。

6.根据权利要求5所述的一种超薄非接触模块用载带，其特征在于，所述通孔上近芯片承载区的边缘为半蚀刻结构。

7.根据权利要求1所述的一种超薄非接触模块用载带，其特征在于，所述在载带为连排卷状结构。

8.一种超薄非接触模块，所述非接触模块包括非接触芯片、用于承载芯片的载体以及用于封装的模塑体，其特征在于，所述载体采用权利要求1至6中任一项所述的载体，所述非接触芯片安置在载体的芯片承载区上，非接触芯片上的功能焊盘通过引线与载体上的芯片焊线区域相接，所述模塑体将非接触芯片封装在载体上形成厚度为0.24mm-0.26mm的超薄非接触模块。

9.根据权利要求8所述的一种超薄非接触模块，其特征在于，所述非接触芯片的厚度为0.05mm-0.07mm。

10.根据权利要求8所述的一种超薄非接触模块，其特征在于，所述非接触芯片通过粘接剂安置在载体的芯片承载区上。

11.根据权利要求8所述的一种超薄非接触模块，其特征在于，所述非接触芯片通过引线与载体相接时通过超声焊接进行电性连接。

12.根据权利要求8所述的一种超薄非接触模块，其特征在于，所述模塑 体采用注塑工艺实现非接触芯片与载体的封装。

13.根据权利要求8所述的一种超薄非接触模块，其特征在于，所述模塑体呈矩形，四个角为圆角，厚度为0.26mm，封装面积为72mm*75mm，封装面积占载体表面积的55%。

14.一种超薄非接触模块的封装方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

（1）用自动芯片装载设备（Die Bonder）将非接触芯片安装到载带上每个载体的芯片承载区内，非接触芯片与载体的芯片承载区之间通过粘结剂粘结；

（2）用自动焊线设备（Wire Bonder）将通过超声波方式将非接触芯片的功能焊盘和用于承载的载体上相应的引脚焊盘牢固地连接在一起；

（3）将焊接好的芯片和载体放入到模塑封装设备上的注塑模具中进行模塑封装，模塑封装设备中通过高温高压将模塑料融化后注塑到注塑模具内的模塑腔体内，将非接触芯片、引线以及载体包封在模塑体内，等模塑料冷却固化后脱膜形成的封装品，并多余的模塑料。

15.根据权利要求14所述的一种超薄非接触模块的封装方法，其特征在于，所述粘结剂采用导电银胶或者非导电银胶或者芯片粘贴膜。

16.根据权利要求14所述的一种超薄非接触模块的封装方法，其特征在于，所述步骤（3）中模塑封装工艺采用的注塑模具包括上模和下模，所述下模光滑平整用于放置完成芯片与相应载体焊接的载带；所述上模与下模配合形成若干与载带上待封装芯片相对应的模塑腔体，同时上模中开设有若干注塑窗，每个注塑窗对应于每个模塑腔体。

17.根据权利要求14所述的一种超薄非接触模块的封装方法，其特征在于，所述步骤（3）进行模塑封装时，采用的模塑料填充颗粒尺寸为1um-53um。

18.根据权利要求14所述的一种超薄非接触模块的封装方法，其特征在于，所述步骤（3）进行注塑封装时，模塑料的温度为175℃-185℃注塑压力为35kg/cm²-45kg/cm²，模塑料冷却固化时的固化压力为60kg/cm²-70kg/cm²，固化时间为35s-45s。