[发明专利]基于新型覆金属陶瓷基板的功率模块

说明书

技术领域

本发明涉及一种基于新型覆金属陶瓷基板的功率模块，属于半导体技术领域。

背景技术

半导体功率模块主要包括底板、覆金属陶瓷基板、半导体芯片、电极端子和壳体。通常功率模块里有数个功率半导体芯片，如MOSFET或IGBT芯片以及二极管芯片被集成并被焊接于或被粘贴于覆金属陶瓷基板的金属层上，同时电极端子也焊接在覆金属陶瓷基板的金属层上并穿出壳体与外部设备连接，实现功率模块的输入和输出，覆金属陶瓷基板再焊接在铜底板上。在半导体功率模块在工作过程中，半导体芯片所产生的热量能通过铜底板迅速吸收。由于铜底板与铝材相比比热小，热逃逸速度较慢，不能及时将模块内的热量散出，故需将功率模块底部安装在散热器上进行散热。

覆金属陶瓷基板是将金属箔在高温下直接键合到氧化铝(AL2Q3)陶瓷基片或氮化铝(ALN)陶瓷基片双面上的特殊工艺板，使覆金属陶瓷基板在保证良好导热性能的同时还提供了相对于功率模块底板的电气绝缘，由于功率电子器件需要在-40℃至125℃的温度循环环境下进行工作，因此目前的功率模块的热量是依靠与其连接的铜底板以及固定在铜底板下部的散热器进行散热。这种散热结构存在以下问题：1、由于功率模块安装在散热器上，因此需要有导热硅脂填充铜底板与散热器之间的空隙，增加了热阻，尤其芯片与散热器的距离相对较远，因此降低了散热效果。2、覆金属陶瓷基板上面分别焊接芯片等器件，而其底部与铜底板焊接，多次焊接后，覆金属陶瓷基板往往会出现内凹的现象，而不能与铜底板形成良好、紧密的接触，故会影响功率模块在工作中的散热效果，如果热量长时间积累在功率模块中不能及时散掉，会大大影响功率模块的质量，甚至损坏功率模块中的芯片，导致功率模块损坏。3、当散热器连接在铜底板的底部，而散热器的高度较高，因此会增加功率器件的安装高度，使其体积较大，对于一些狭小的安装空间，则不能适用。

发明内容

本发明的目的是提供一种结构合理，体积小，散热效率高，能提高功率模块的寿命和可靠性的基于新型覆金属陶瓷基板的功率模块。

本发明为达到上述目的的技术方案是：  一种基于新型覆金属陶瓷基板的功率模块，包括外壳和覆金属陶瓷基板，覆金属陶瓷基板的金属层连接有半导体芯片及电极端子，电极端子穿过外壳并设置在外壳顶部，其特征在于：所述的覆金属陶瓷基板包括陶瓷板和复合在陶瓷板至少一面的金属层，陶瓷板内设有至少一根散热管，散热管两侧的连接头位于陶瓷板的外侧，或散热管的两端与设置在陶瓷板上的连接头连接，外壳的底部固定连接在陶瓷板上。

所述陶瓷板内固定有平行的三个以上的散热管，或陶瓷板内固定有一个蛇形管或盘管，且散热管的外壁上设有翅片并嵌接在陶瓷板内，陶瓷板的厚度控制在5～25mm。

所述的连接头的外周设有由外向内的两个以上的环形锥面。

所述外壳底部设有止口，外壳的止口设置在陶瓷板上部的周边，陶瓷板通过密封胶与外壳固定连接。

所述的陶瓷板底部通过缓冲垫设置在底座上，且底座上的四周设置至少两个安装孔。

所述的底座上设有沉台，缓冲垫设置在沉台内。

本发明采用上述技术方案后具有以下优点：

1、本发明在覆金属陶瓷基板的陶瓷板内设有至少一个根散热管以构成散热机构，因此可通过连接头与外部循环管路连接，向散热管内通入可循环的冷却介质，可将功率模块工作中的热量直接通过覆金属陶瓷基板散出，使覆金属陶瓷基板自身具有散热功能，因此覆金属陶瓷基板在原有功能基础上增加了自身的散热功能，从而可实现与芯片及各器件的互连及散热一体化功能，结构紧凑、合理。

2、本发明在覆金属陶瓷基板上集成了散热管而具有散热器的功能，可以为功率模块省去下部常规散热器的安装，从而达功率模块到减小整机体积，减轻整机重量，满足了整机对功率模块必须紧凑且重量轻的要求，节省安装工序。

3、本发明在散热管两侧的连接头位于陶瓷板的外侧，或在陶瓷板上设有与散热管接插的连接头，方便覆金属陶瓷基板与外部的循环管的对接。

4、本发明与传统功率模块相比省略了底板，可以减少焊接次数，使简化功率模块加工工序，从而降低了模块加工成本，提高了成品率。

5、本发明将芯片通过一层很薄的金属层直接与陶瓷板内置的散热管相连，减小了芯片到散热器之间的距离，从而减小了芯片到散热器的热阻，同时也因省去了底板，减少了焊接层和导热硅脂层，大大降低了模块的热阻，彻底解决了覆金属陶瓷基板变形与底板接触不良而造成散热效率不高的问题，提高了功率模块的寿命和可靠性。