[发明专利]堆叠半导体器件

权利要求书

1.一种堆叠半导体器件，包括：

第一半导体器件，所述第一半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述第一半导体器件的所述第一主表面具有：

有源电路;

斜面边缘，所述斜面边缘位于所述第一半导体器件的至少一个边缘上；以及

探针垫，所述探针垫延伸到所述第一半导体器件的所述斜面边缘上；以及

第二半导体器件，所述第二半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述第二半导体器件的所述第一主表面具有：

有源电路;

斜面边缘，所述斜面边缘位于所述第二半导体器件的至少一个边缘上；以及

探针垫，所述探针垫延伸到所述第二半导体器件的所述斜面边缘上；

其中：

所述第一半导体器件的所述第一主表面面向所述第二半导体器件的所述第一主表面，使得所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第一主表面位于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第二主表面之间，并且其中所述第一半导体器件的所述斜面边缘面向所述第二半导体器件的所述斜面边缘，使得在所述堆叠半导体器件的第一垂直边上的所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述斜面边缘之间形成第一开口。

2.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，其中所述第一开口的所述斜面边缘能够将探针尖端对齐到所述第一半导体器件的所述探针垫。

3.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，其中：

所述第一半导体器件的所述探针垫电耦合于所述第一半导体器件的所述有源电路；

所述第二半导体器件的所述探针垫电耦合于所述第二半导体器件的所述有源电路；

4.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，其中所述第一半导体器件和所述第二半导体器件中的每个包括导电面，其中：

所述第一半导体器件的所述探针垫电耦合于所述第一半导体器件的所述导电面；以及

所述第二半导体器件的所述探针垫电耦合于所述第二半导体器件的所述导电面。

5.根据权利要求4所述的堆叠半导体器件，还包括：

散热器(806)，所述散热器(806)被附着到所述堆叠半导体器件的所述第一垂直边上，所述散热器具有:

第一突出部分，所述第一突出部分插入到位于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述斜面边缘之间的所述第一开口中，并且与所述第一半导体器件和所述第二半导体器件中每一个的所述探针垫相接触。

6.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，还包括：

多个连续导电通孔，其中所述多个连续导电通孔的每个连续导电通孔从所述第一半导体器件的所述第二主表面、穿过所述第一半导体器件延伸到所述第二半导体器件的所述第一主表面。

7.根据权利要求6所述的堆叠半导体器件，其中所述多个连续导电通孔的至少一个连续导电通孔(802)耦合于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件中每一个的所述有源电路(103)。

8.根据权利要求6所述的堆叠半导体器件，其中：

所述第一半导体器件的所述有源电路包括熔丝，所述熔丝耦合于所述第一半导体器件的所述探针垫和所述多个连续导电通孔的第一连续导电通孔;以及

所述第二半导体器件的所述有源电路包括熔丝，所述熔丝耦合于所述第二半导体器件的所述探针垫和所述多个连续导电通孔的第二连续导电通孔。

9.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，其中所述第一半导体器件和所述第二半导体器件中的每一个的进一步特征是存储器器件。

10.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，其中：

所述第一半导体器件的所述第一主表面在所述第一半导体器件的第二边缘处具有第二斜面边缘，以及具有延伸到所述第一半导体器件所述第二斜面边缘上的第二探针垫；以及

所述第二半导体器件的所述第一主表面在所述第二半导体器件的第二边缘处具有第二斜面边缘，以及具有延伸到所述第二半导体器件所述第二斜面边缘上的第二探针垫。