[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管，依次包括衬底、及设置在所述衬底一表面的发光结构层，所述发光结构层至少包括N型半导体层、位于N型半导体层上的量子阱层、及位于量子阱层上的P型半导体层，在所述N型半导体层上设有N电极，在P型半导体层上依次设有透明导电层和P电极，其特征在于：所述发光二极管至少还包括：

设置在所述透明导电层表面的第一反射镜层，该第一反射镜层对所述发光结构层所发出的光具有高透过率、对荧光粉受激发后所产生的光具有高反射率，其中，所述荧光粉由发光结构层所发出来的光来激发；

设置在所述衬底另一表面上的第二反射镜层，该第二反射镜层对所述发光结构层所发出的光具有高反射率。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一反射镜层对所述发光结构层所发出的光的透过率大于90%、对所述荧光粉受激发后所产生的光的反射率大于90%。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光结构层所发出的光包括波长范围为420~480nm的可见光，所述荧光粉受激发后所产生的发出的光包括波长范围为500~800nm的可见光。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第一反射镜层包括分布布拉格反射镜。

5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第二反射镜层对所述发光结构层所发出的光的反射率大于98%。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第二反射镜层包括分布布拉格反射镜或全方位反射镜。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：分布布拉格反射镜或全方位反射镜的厚度为0.3~3μm。

8.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：分布布拉格反射镜的厚度为0.3~3μm。

9.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括步骤：

a)提供一衬底，在所述衬底一表面上制备形成发光结构层，所述发光结构层至少包括N型半导体层、位于N型半导体层上的量子阱层、及位于量子阱层上的P型半导体层；

b)通过刻蚀技术在N型半导体层上制备N电极，在P型半导体层上制备透明导电层和P电极；

c)在所述透明导电层上制备第一反射镜层，所述第一反射镜层对所述发光结构层所发出的光具有高透过率、对荧光粉受激发所发出的光具有高反射率，其中，所述荧光粉由发光结构层所发出来的光来激发；

d)研磨抛光所述衬底的另一表面，然后在所述衬底的另一表面上制备第二反射镜层，所述第二反射镜层对发光结构层所发出的光具有高反射率。

10.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第一反射镜层对所述发光结构层所发出的光的透过率大于90%、对所述荧光粉层激发后所产生的的光的反射率大于90%。

11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述发光结构层所发出的光包括波长范围为420~480nm的可见光，所述荧光粉受激发后所产生的光包括波长范围为500~800nm的可见光。

12.根据权利要求9至11任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第一反射镜层包括分布布拉格反射镜。

13.根据权利要求9至11任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第二反射镜层对所述发光结构层所发出的光的反射率大于98%。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于：所述第二反射镜层包括分布布拉格反射镜或全方位反射镜。

15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于：分布布拉格反射镜或全方位反射镜的厚度为0.3~3μm。

16.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：分布布拉格反射镜的厚度为0.3~3μm。

17.根据权利要求14所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：采用电子束蒸镀、溅射或离子辅助镀膜来制备分布布拉格反射镜或全方位反射镜。