[发明专利]阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，其特征在于，包括上电极（1）、阻变材料（2）和下电极（3），所述阻变材料（2）位于下电极（3）之上，所述上电极(1）嵌入在阻变材料(2)之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。

2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述上电极嵌入在阻变材料之内的部分可以呈倒梯形。

3.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述上电极由铂、钨、镍、铝、钯、金、钛，氮化钛中的任意一种材料制成。

4.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述下电极由铂、钨、镍、铝、钯、金、钛，氮化钛之中的任意一种材料制成。

5.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

步骤一：通过在半导体衬底（31）之上淀积金属层，形成下电极（3）；

步骤二：在下电极上生长用于形成阻变层的材料（22），并通过各向异性刻蚀在所述用于形成阻变层的材料中形成凹槽，所述凹槽的上部开口的宽度大于其下端面的宽度；

步骤三：通过利用金属材料填充所述凹槽来形成上电极，使得所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度；

步骤四：通过氧化所述下电极之上的用于形成阻变层的材料来形成阻变层。

6.如权利要求5所述的阻变存储器制备方法，其特征在于，所述金属层包括：铂、钨、镍、铝、钯、金、钛，氮化钛中的任意一种。

7.如权利要求5所述的阻变存储器制备方法，其特征在于，所述通过各向异性刻蚀在用于形成阻变层的材料中形成凹槽的处理包括:

在用于形成阻变层的材料的上端面涂抹光刻胶，且预留出需要刻蚀的窗口尺寸大小；

利用光刻胶作为掩膜，通过各向异性刻蚀所述用于形成阻变层的材料,形成凹槽。

8.如权利要求5所述的阻变存储器制备方法，其特征在于，通过利用金属材料填充所述凹槽来形成上电极的处理包括：

在用于形成阻变层的材料上部淀积金属以填充凹槽，所述金属是铂、钨、镍、铝、钯、金、钛，氮化钛之中的任意一种；

剥离淀积在光刻胶部分之上的金属，留下填充在用于形成阻变层的材料凹槽部分的金属形成上电极。

9.如权利要求5所述的阻变存储器制备方法，其特征在于，所述用于形成阻变层的材料是硅或锗中的一种。

10.如权利要求5所述的阻变存储器制备方法，其特征在于，所述阻变层是氧化硅或氧化锗。