[发明专利]四方平面无导脚半导体封装件及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件及其制法，尤指一种四方平面无导脚半导体封装件及其制法。

背景技术

随着电子产业的逢勃发展，许多高阶电子产品都逐渐朝往轻、薄、短、小等高集积度方向发展，半导体封装结构也发展出许多种不同的电路模块，其中，无导脚半导体封装件是一种特殊电路模块，特征是焊球皆外露于半导体封装件底部，其结合采用表面耦接方式。表面耦接是在半导体与印刷电路板作接合过程中，将封装单元直接焊结至印刷电路板上，使得无导脚半导体封装件的接脚与电路板能够紧密接合。

举例而言，如图2A至图2D所示的现有四方平面无导脚半导体封装件2的制法。

如图2A及图2A’所示，提供一载体21，其材质为铜，在该载体21上形成芯片座41a及多个个环设于该芯片座41a周围的电性连接垫41b，且如图2A’所示，至少部份该电性连接垫41b延伸有导电迹线42b。

如图2B所示，于该芯片座41a顶面上接置半导体芯片51，接着以焊线61电性连接该半导体芯片51与各该电性连接垫41b，之后再于该载体21上形成封装胶体71，以包覆该芯片座41a、电性连接垫41b、半导体芯片51及焊线61。

如图2C所示，移除该载体21，以令芯片座41a及电性连接垫41b的底面外露出该封装胶体71的底面。

如图2D所示，于该封装胶体71、芯片座41a及电性连接垫41b的底面形成防焊层81，且该防焊层81具有多个外露芯片座41a及电性连接垫41b的部分底面的防焊层开口811，接着于该防焊层开口811中形成焊球91。

然而，该半导体封装件2的芯片座41a及电性连接垫41b的侧面大致上呈现平面，容易自该封装胶体71中脱落，影响产品信赖性。

因此，如何提供一种四方平面无导脚半导体封装件及制法，以能确保产品的可靠度，实为一重要课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明的主要目的在于提供一种四方平面无导脚半导体封装件及其制法，使得该电性连接垫不易自该封装胶体中脱落，而能提升信赖性。

本发明的四方平面无导脚半导体封装件，其包括：封装胶体，其具有相对的第一表面及第二表面；金属层，其为上宽下窄的构形，且嵌设于该封装胶体的第二表面上；多个电性连接垫，其埋于该封装胶体中且结合于该金属层的上宽构形上；以及半导体芯片，其埋于该封装胶体中并电性连接该些电性连接垫。

前述的半导体封装件及其制法中，该金属层为金属镀层。

本发明还提供一种四方平面无导脚半导体封装件的制法，其包括：形成多个电性连接垫于一载体上的金属层上；移除未被该电性连接垫覆盖的金属层，以外露出部份该载体，且令该电性连接垫下方的金属层具有上宽下窄的构形；接置半导体芯片于该载体上方，并使该半导体芯片电性连接该些电性连接垫；于该载体上形成封装胶体，以包覆该半导体芯片与该电性连接垫及其下方的金属层，且该封装胶体具有相对的第一表面和第二表面，而该封装胶体的第二表面与该载体接触；以及移除该载体，以显露该封装胶体的第二表面与该电性连接垫下方的金属层。

前述的制法中，形成该电性连接垫的工艺包括：形成具有多个阻层开口的阻层于该载体的金属层上，以外露出部分该金属层；电镀形成该电性连接垫于该阻层开口中；以及移除该阻层。

前述的制法中，该载体为铁合金载体。

前述的制法中，该载体的金属层经表面处理而得，且该表面处理的方式为物理气相沉积、电镀、无电镀或溅镀。

前述的制法中，其以蚀刻方式移除未被该电性连接垫覆盖的金属层，以令该电性连接垫下方的金属层具有上宽下窄的构形。

前述的半导体封装件及其制法中，形成该金属层的材质为铜。

前述的半导体封装件及其制法中，形成该电性连接垫的材质为Au/Pd/Ni/Pd、Au/Ni/Cu/Ni/Ag、Au/Ni/Cu/Ag、Pd/Ni/Pd、Au/Ni/Au或Pd/Ni/Au。

前述的半导体封装件及其制法中，该载体的金属层上还具有至少一置晶垫，以设置该半导体芯片，且该些电性连接垫位于该置晶垫周围。

前述的半导体封装件及其制法中，还包括形成防焊层于该封装胶体的第二表面上，且该防焊层具有多个外露出该金属层的防焊层开口。还包括形成导电组件于该防焊层开口中。

前述的半导体封装件及其制法中，该半导体芯片以导电凸块或焊线电性连接该些电性连接垫。

由上可知，本发明以铁合金载体取代铜合金载体，可降低使用成本。再者，使用铜作为铁合金载体表面的金属镀层可提升导电电性，有利于形成置晶垫和电性连接垫。