[发明专利]四方平面无导脚半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种四方平面无导脚半导体封装件的制法，其包括：

提供于一表面上具有金属层的载体；

形成多个电性连接垫于该载体上的金属层上；

移除未被该电性连接垫覆盖的金属层，以外露出部份该载体，且令该电性连接垫下方的金属层具有上宽下窄且侧面为一弧形的构形；

接置半导体芯片于该载体之上，并使该半导体芯片电性连接该些电性连接垫；

于该载体上形成封装胶体，以包覆该半导体芯片、该电性连接垫及其下方的金属层，且该封装胶体具有相对的第一表面和第二表面，而该封装胶体的第二表面与该载体接触；以及

移除该载体，以显露该封装胶体的第二表面与该电性连接垫下方的金属层。

2.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，形成该电性连接垫的工艺包括：

形成具有多个阻层开口的阻层于该金属层上，以外露出部分该金属层；

电镀形成该电性连接垫于该阻层开口中；以及

移除该阻层。

3.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，该载体为铁合金载体。

4.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，该金属层是经表面处理而得，且该表面处理的方式为物理气相沉积、电镀或无电镀。

5.根据权利要求4所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，该物理气相沉积方式为溅镀。

6.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，形成该金属层的材质为铜。

7.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，以蚀刻方式移除未被该电性连接垫覆盖的金属层，以令该电性连接垫下方的金属层具有上宽下窄的构形。

8.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，形成该电性连接垫的材质为Au/Pd/Ni/Pd、Au/Ni/Cu/Ni/Ag、Au/Ni/Cu/Ag、Pd/Ni/Pd、Au/Ni/Au或Pd/Ni/Au。

9.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，该金属层上还具有至少一置晶垫，以设置该半导体芯片。

10.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成防焊层于该封装胶体的第二表面上以及形成导电组件于该防焊层开口中，且该防焊层具有多个外露出该金属层的防焊层开口。

11.根据权利要求1所述的四方平面无导脚半导体封装件的制法，其特征在于，该半导体芯片以导电凸块或焊线电性连接该些电性连接垫。

12.一种四方平面无导脚半导体封装件，其包括：

封装胶体，其具有相对的第一表面及第二表面；

金属层，其为上宽下窄且侧面为一弧形的构形，且嵌设于该封装胶体的第二表面上，并外露出该金属层下窄的构形；

多个电性连接垫，其埋于该封装胶体中且结合于该金属层的上宽构形上；以及

半导体芯片，其埋于该封装胶体中并电性连接该些电性连接垫。

13.根据权利要求12所述的四方平面无导脚半导体封装件，其特征在于，形成该电性连接垫的材质为Au/Pd/Ni/Pd、Au/Ni/Cu/Ni/Ag、Au/Ni/Cu/Ag、Pd/Ni/Pd、Au/Ni/Au或Pd/Ni/Au。

14.根据权利要求12所述的四方平面无导脚半导体封装件，其特征在于，该金属层为金属镀层。

15.根据权利要求12所述的四方平面无导脚半导体封装件，其特征在于，该金属层的材质为铜。

16.根据权利要求12所述的四方平面无导脚半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括至少一置晶垫，其埋于该封装胶体中，以设置该半导体芯片。

17.根据权利要求12所述的四方平面无导脚半导体封装件，其特征在于，该半导体分装件还包括形成于该封装胶体的第二表面上的防焊层以及形成于该防焊层开口中的导电组件，且该防焊层具有多个外露出该金属层的防焊层开口。

18.根据权利要求12所述的四方平面无导脚半导体封装件，其特征在于，该半导体芯片以导电凸块或焊线电性连接该些电性连接垫。