[发明专利]芯片封装基板和结构及其制作方法有效
申请号: | 201210343444.6 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN103681384A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 胡竹青;许诗滨;周鄂东;萧志忍 | 申请(专利权)人: | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/31 |
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地址: | 066000 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及电路板制作领域,尤其涉及一种芯片封装基板和芯片封装结构及该芯片封装基板和芯片封装结构的制作方法。
背景技术
芯片封装基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效,以实现多引脚化,缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。
当电子产品的体积日趋缩小,所采用的芯片封装基板的体积和线路间距也必须随之减小。习知的芯片封装基板包括一基底及形成于该基底相对表面的导电线路图形,基底两侧的导电线路图形通过导通孔电连接。然而,习知的芯片封装基板的基底层上需要形成导电孔,以实现导电层间的电导通,然而,形成导电孔的方法一般需电镀铜,制程复杂且成本较高。
发明内容
因此,有必要提供一种制程简单且成本较低的芯片封装基板和结构及其制作方法。
一种芯片封装基板的制作方法,包括步骤:依次堆叠并压合第三铜箔、第二胶片、第一支撑板、第一胶片、第二支撑板、第三胶片及第五铜箔,得到承载基板;在第三铜箔上形成多个第一导电接点,在第五铜箔上形成多个第二导电接点;在每个第一导电接点上形成第一焊球,在每个第二导电接点上形成第二焊球;提供第一背胶铜箔和第二背胶铜箔,该第一背胶铜箔包括第七铜箔层及设置于该第七铜箔层表面的第一树脂层,该第二背胶铜箔包括第八铜箔层及设置于该第八铜箔层表面的第二树脂层;依次压合该第一背铜箔、该承载基板及该第二铜箔,使该第一树脂层覆盖该第一焊球的表面及该第一导电接点露出于该第一焊球的表面,该第二树脂层覆盖该第二焊球的表面及该第二导电接点露出于该第二焊球的表面,该多个第一焊球远离该第一导电接点的端部均与该第七铜箔电接触,该多个第二焊球远离该第二导电接点的端部均与该第八铜箔电接触;将该第七铜箔形成第一导电线路层,将该第八铜箔形成第二导电线路层,并在该第一导电线路层和第二导电线路层上分别形成第一防焊层和第二防焊层,该第一防焊层和第二防焊层分别部分覆盖该第一导电线路层和第二导电线路层,露出于该第一防焊层和第二防焊层的第一导电线路层和第二导电线路层分别形成多个第一电性连接垫和多个第二电性连接垫,从而获得多层基板;在该第一支撑板与第二支撑板之间对该多层基板进行分割,得到相互分离的两个芯片封装基板。
一种芯片封装基板,包括支撑板、铜箔层、多个导电接点、多个第一焊球、树脂层、导电线路层及防焊层。该铜箔层通过胶片粘贴于该支撑板的一表面。该多个导电接点形成于该铜箔层表面。该多个第一焊球与该多个导电接点一一对应,该多个第一焊球分别焊接于该多个导电接点上。该树脂层覆盖于该多个导电接点和第一焊球的表面以及从该多个导电接点露出的该铜箔层的表面。该导电线路层形成于该树脂层相对于该铜箔层的表面,该导电线路层与该多个第一焊球远离该多个导电接点的端部电接触。该防焊层形成于该导电线路层上,覆盖从该导电线路层露出的树脂层的表面并部分覆盖该导电线路层,从该防焊层露出的导电线路层构成多个电性连接垫。
一种芯片封装结构的制作方法,包括步骤:提供如上所述的芯片封装基板;在该芯片封装基板的防焊层一侧封装芯片,并使芯片与该多个电性连接垫电连接;及去除该支撑板、胶片和铜箔层,以露出该多个导电接点,从而形成芯片封装结构。
一种芯片封装结构,包括树脂层、多个导电接点、导电线路层、多个第一焊球、防焊层及芯片。该多个导电接点嵌设于该树脂层的一表面内。该导电线路层形成于该树脂层远离该多个导电接点的表面。该多个焊球与该多个导电接点一一对应并埋设于该树脂层内,每个第一焊球的一端焊接于对应的导电接点上,相对的另一端与该导电线路层电连接。该防焊层形成于该导电线路层上,覆盖从该导电线路层露出的树脂层的表面并部分覆盖该导电线路层,从该防焊层露出的导电线路层构成多个电性连接垫。该芯片封装于该防焊层一侧,并与该多个电性连接垫电连接。
本实施例的芯片封装基板和结构及其制作方法由于采用了焊球实现导电接点与导电线路层的电导通,取代了现有技术的导电孔,无需制作导电孔的电镀等步骤,制程更加简单,成本更低。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的第一铜箔基板、第二铜箔基板、第一铜箔、第二铜箔、第一胶片、第二胶片、第三胶片、第一铜箔叠板及第二铜箔叠板的分解剖视图。
图2是图1中的各层依次堆叠后的剖视图。
图3是在图2中的第一铜箔叠板和第二铜箔叠板上分别形成光致抗蚀剂图形后的剖视图。
图4是在图3中的第一铜箔叠板和第二铜箔叠板上分别形成接点图形后的剖视图。
图5是将图4中的光致抗蚀剂图形去除后的剖视图。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造