[发明专利]芯片封装基板和结构及其制作方法有效
申请号: | 201210343444.6 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN103681384A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 胡竹青;许诗滨;周鄂东;萧志忍 | 申请(专利权)人: | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/31 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 066000 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种芯片封装基板的制作方法,包括步骤:
依次堆叠并压合第三铜箔、第二胶片、第一支撑板、第一胶片、第二支撑板、第三胶片及第五铜箔,得到承载基板;
在第三铜箔上形成多个第一导电接点,在第五铜箔上形成多个第二导电接点;
在每个第一导电接点上形成第一焊球,在每个第二导电接点上形成第二焊球;
提供第一背胶铜箔和第二背胶铜箔,该第一背胶铜箔包括第七铜箔层及设置于该第七铜箔层表面的第一树脂层,该第二背胶铜箔包括第八铜箔层及设置于该第八铜箔层表面的第二树脂层;
依次压合该第一背铜箔、该承载基板及该第二铜箔,使该第一树脂层覆盖该第一焊球的表面及该第一导电接点露出于该第一焊球的表面,该第二树脂层覆盖该第二焊球的表面及该第二导电接点露出于该第二焊球的表面,该多个第一焊球远离该第一导电接点的端部均与该第七铜箔电接触,该多个第二焊球远离该第二导电接点的端部均与该第八铜箔电接触;
将该第七铜箔形成第一导电线路层,将该第八铜箔形成第二导电线路层,并在该第一导电线路层和第二导电线路层上分别形成第一防焊层和第二防焊层,该第一防焊层和第二防焊层分别部分覆盖该第一导电线路层和第二导电线路层,露出于该第一防焊层和第二防焊层的第一导电线路层和第二导电线路层分别形成多个第一电性连接垫和多个第二电性连接垫,从而获得多层基板;
在该第一支撑板与第二支撑板之间对该多层基板进行分割,得到相互分离的两个芯片封装基板。
2.如权利要求1所述的芯片封装基板的制作方法,其特征在于,该第一支撑板为第一铜箔基板,该第二支撑板为第二铜箔基板,依次堆叠并压合第三铜箔、第二胶片、第一支撑板、第一胶片、第二支撑板、第三胶片及第五铜箔时,在该第一铜箔基板与该第一胶片之间还设置有第一铜箔,在该第二铜箔基板与该第一胶片之间还设置有第二铜箔,该第一铜箔基板、第一胶片及第二铜箔基板的横截面积相同,该第一铜箔、第二铜箔的横截面积相同,且该第一铜箔的横截面积小于该第一胶片的横截面积,该第一胶片包括中心区及环绕中心区的边缘区,该中心区的横截面积等于该第一铜箔的横截面积;在将该第一胶片压合在第一铜箔基板和第二铜箔基板之间时,同时将该第一铜箔压合在该第一胶片与该第一铜箔基板之间,将该第二铜箔压合在该第一胶片与该第二铜箔基板之间,该第一铜箔和第二铜箔均与该第一胶片的中心区相接触,且使得该第一铜箔在第一铜箔基板表面的正投影、第二铜箔在第一铜箔基板表面的正投影均与中心区在第一铜箔基板表面的正投影重叠,从而使得第一铜箔基板和第二铜箔基板仅通过该第一胶片的边缘区粘结于一起。
3.如权利要求2所述的芯片封装基板的制作方法,其特征在于,该承载基板包括产品区及环绕产品区的废料区,所述产品区与该第一胶片的中心区相对应,且该产品区在该第一铜箔基板表面的正投影位于该中心区在该第一铜箔基板表面的正投影之内,在该第一支撑板与第二支撑板之间对该多层基板进行分割时,沿着产品区与废料区的交界线对多层基板进行切割,以使得产品区与废料区相分离,并使得产品区中的第一铜箔基板与第一铜箔自然脱离,产品区中的第二铜箔基板与第二铜箔自然脱离,去除产品区中自然脱离的第一铜箔、第二铜箔以及其间的第一胶片,从而得到相互分离的两个芯片封装基板。
4.如权利要求1所述的芯片封装基板的制作方法,其特征在于,在形成第一防焊层之后,还在第一电性连接垫表面形成第一金层,在形成第二防焊层之后,还在第二电性连接垫表面形成第二金层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造