[发明专利]形成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：

提供第一层；

在所述第一层上形成第二层；

在所述第二层上形成绝缘层；

去除所述绝缘层的部分，以形成两个开口并暴露出所述第二层的顶面；

在所述两个开口中均形成金属部件；以及

对所述金属部件进行退火，以形成相应的金属间化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述金属部件进行退火，以形成相应的金属间化合物之后，在所述金属间化合物之间的所述绝缘层上形成栅极。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一层中实施硅注入。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一层和所述第二层之间形成界面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，使用含镓前体和含氮前体，通过金属有机物汽相外延来外延生长所述第一层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用含铝前体、含镓前体、和含氮前体，通过金属有机物汽相外延在所述第一层上外延生长所述第二层。

7.一种半导体结构，包括：

第一层；

第二层，设置在所述第一层上，并且在组分上与所述第一层不同，其中，在所述第一层和所述第二层之间存在界面；

第三层，设置在所述第二层上；

栅极，设置在所述第三层上；

金属间化合物，设置在所述栅极的每一侧上。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述金属间化合物均嵌入在所述第二层和所述第三层中。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述金属间化合物均不包含Au。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，还包括：介电保护层，设置在所述金属间化合物和所述第三层上。