[发明专利]一种ESD保护器件及其制备方法有效
申请号: | 201210341642.9 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN102867822A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 黄冕 | 申请(专利权)人: | 深圳中科系统集成技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/02 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;南毅宁 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 esd 保护 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种ESD保护器件,该ESD保护器件包括:
第一覆铜板CCL衬底,所述第一CCL衬底由第一核层(22)和分别位于所述第一核层(22)相对立的两侧上的第一铜层(21)和第二铜层(23)构成;
在所述第二铜层(23)中形成并延伸到所述第一核层(22)中的第一沟槽;
填充在所述第一沟槽中的浆料层(29);以及
覆盖在所述第二铜层(23)上的第一树脂层(24)。
2.根据权利要求1所述的ESD保护器件,该ESD保护器件还包括:
第二CCL衬底,所述第二CCL衬底由第二核层(27)和位于所述第二核层(27)的一侧上的第三铜层(28)构成;
覆盖在所述第二核层(27)的与所述第三铜层所处的一侧相对立的一侧上的第二树脂层(26);
在所述第二树脂层(26)中形成并延伸到所述第二核层(27)中的第二沟槽;以及
所述第二树脂层(26)与所述第一树脂层(24)相接触,所述第一铜层(21)和所述第三铜层(28)各自中的部分铜层被移除,且所述第一铜层(21)、所述第二铜层(23)以及所述第三铜层(28)的分别位于所述第二沟槽同一侧的部分彼此电连接以分别形成所述ESD保护器件的引出电极。
3.根据权利要求1所述的ESD保护器件,其中,在所述第二树脂层(26)与所述第一树脂层(24)之间还形成有粘结层(25)。
4.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的ESD保护器件,其中, 所述浆料层(29)是含有导电粒子和非导电粒子的混合浆料层。
5.一种制备ESD保护器件的方法,包括:
提供第一覆铜板CCL衬底,所述第一CCL衬底由第一核层(22)和分别位于所述第一核层(22)相对立的两侧上的第一铜层(21)和第二铜层(23)构成;
在所述第二铜层(23)中形成延伸到所述第一核层(22)中的第一沟槽;
在所述第一沟槽中以及所述第二铜层(23)的表面上形成第一树脂层(24);
在所述第一树脂层(24)上形成保护层(31);
去除所述第一沟槽中及该第一沟槽上方部分的所述第一树脂层(24)和所述保护层(31)以形成第二沟槽;
在所述第二沟槽中和所述保护层(31)上形成浆料层(29);以及
去除位于所述第一树脂层(24)上的所述保护层(31)和所述浆料层(29)。
6.根据权利要求5所述的方法,该方法还包括:
提供第二CCL衬底,所述第二CCL衬底由第二核层(27)和分别位于所述第二核层(27)相对立的两侧上的第三铜层(28)和第四铜层构成;
去除所述第四铜层;
在所述第二核层(27)的去除了所述第四铜层的表面上覆盖第二树脂层(26);
在所述第二树脂层(26)中形成延伸到所述第二核层(27)中的第三沟槽;
使所述第二树脂层(26)与所述第一树脂层(24)相接触;以及
将所述第一铜层(21)和所述第三铜层(28)各自中的部分铜层移除, 并使所述第一铜层(21)、所述第二铜层(23)以及所述第三铜层(28)的分别位于所述第三沟槽同一侧的部分彼此电连接以分别形成所述ESD保护器件的引出电极。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,在在所述第二核层(27)的去除了所述第四铜层的表面上覆盖第二树脂层(26)之后,该方法还包括:
在所述第二树脂层(26)上覆盖粘结层(25),并之后在所述第二树脂层(26)和所述粘结层(25)中形成延伸到所述第二核层(27)中的第三沟槽,并之后使所述粘结层(25)与所述第一树脂层(24)相接触。
8.根据权利要求5至7中任一项权利要求所述的方法,其中,所述浆料层(29)是含有导电粒子和非导电粒子的混合浆料层。
9.根据权利要求5至7中任一项权利要求所述的方法,其中,通过激光钻孔工艺形成所述沟槽。
10.根据权利要求5至7中任一项权利要求所述的方法,其中,所述第一树脂层(24)、所述第二树脂层(26)和所述保护层(31)通过压合或印刷工艺形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的