[发明专利]一种含介电层的半导体原件的切割方法

权利要求书

1.一种含介电层的半导体原件的切割方法，其特征在于，所述切割方法至少包括以下步骤：

1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；

2)于所述半导体衬底的背表面制作介电层，所述介电层对532nm激光的透过率大于30%；

3)采用532nm激光并依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内部形成与各该半导体单元对应的变质层结构；

4)依据所述变质层结构对所述半导体原件进行裂片，以获得相互分离的多个半导体单元。

2.根据权利要求1所述的含介电层的半导体原件的切割方法，其特征在于：所述介电层为硅氧化物层与钛氧化物层交替排列的叠层。

3.根据权利要求2所述的含介电层的半导体原件的切割方法，其特征在于：所述硅氧化物层与钛氧化物层交替排列的次数为7~50次。

4.根据权利要求2所述的含介电层的半导体原件的切割方法，其特征在于：所述硅氧化物层的厚度为5~300nm，所述钛氧化物层的厚度为5~300nm。

5.根据权利要求1所述的含介电层的半导体原件的切割方法，其特征在于：所述半导体衬底为蓝宝石衬底、图形蓝宝石衬底、Si衬底、SiC衬底、Ge衬底，SOI衬底或GOI衬底。

6.根据权利要求1所述的含介电层的半导体原件的切割方法，其特征在于：所述半导体单元为发光二极管、激光二极管、场效应晶体管或双极型晶体管。

7.根据权利要求1所述的含介电层的半导体原件的切割方法，其特征在于：步骤4）中，采用刀片劈裂方式对所述半导体原件进行裂片。