[发明专利]图形化传输层、包含该图形化传输层的OLED器件及制备方法有效
| 申请号: | 201210337586.1 | 申请日: | 2012-09-13 |
| 公开(公告)号: | CN102969453A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
| 发明(设计)人: | 邱勇;段炼;张国辉;王静;董艳波 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张建纲 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图形 传输 包含 oled 器件 制备 方法 | ||
1.一种图形化传输层,其特征在于:
所述图形化传输层包括导电的高折射率区域和导电的低折射率区域,所述高折射率区域与所述低折射率区域的折射率的差值>0.2。
2.根据权利要求1所述的图形化传输层,其特征在于:
所述高折射率区域与所述低折射率区域的折射率的差值>0.3。
3.根据权利要求1或2所述的图形化传输层,其特征在于:
所述高折射率区域,折射率在1.8-3.0;所述低折射率区域,折射率在1.6-2.3。
4.根据权利要求3所述的图形化传输层,其特征在于:
所述折射率在1.8-3.0的区域,由单独一种折射率在1.8-3.0的高折射率材料制备,或者采用不同材料的混合物制备。
5.根据权利要求1或2所述的图形化传输层,其特征在于:
所述高折射率区域,折射率在1.6-2.3;所述低折射率区域,折射率在1.1-1.6。
6.根据权利要求5所述的图形化传输层,其特征在于:
所述高折射率区域,单独采用折射率在1.6-2.3的材料;
或者采用折射率在1.1-1.6的材料与折射率在1.6-2.3的材料的混合物;所述折射率在1.1-1.6的材料占10-90重量份,所述折射率在1.6-2.3的材料占10-90重量份;
或者采用折射率在1.1-1.6的材料与折射率在1.8-3.0的材料的混合物;所述折射率在1.1-1.6的材料占10-90重量份,所述折射率在1.8-3.0的材料占10-90重量份;
或者采用折射率在1.6-2.3的材料与折射率在1.8-3.0的材料混合得到,所述折射率在1.6-2.3的材料占10-90重量份,所述折射率在1.8-3.0的材料占10-90重量份。
7.根据权利要求1或2所述的图形化传输层,其特征在于:
所述高折射率区域,折射率在1.8-3.0;所述低折射率区域,折射率在1.1-1.6。
8.根据权利要求7所述的图形化传输层,其特征在于:
所述折射率在1.1-1.6的低折射率区域,单独采用折射率在1.1-1.6的材料;
或者采用折射率在1.1-1.6的材料与折射率在1.6-2.3的材料的混合物;所述折射率在1.1-1.6的材料占10-90重量份,所述折射率在1.6-2.3的材料占10-90重量份;
或者采用折射率在1.1-1.6的材料与折射率在1.8-3.0的材料的混合物,所述折射率在1.1-1.6的材料占10-90重量份,所述折射率在1.8-3.0的材料占10-90重量份。
9.根据权利要求5-8任一所述的图形化传输层,其特征在于:
所述折射率为1.1-1.6的材料包含以下无机材料:MgF2、CaF2、SiO2、BaF、B2O3、NaF、AlF3、SiO、SiO2、LiF、Na3AlF6、KF、CdF2、DyF3、LaF3、WO3中的一种或几种;
所述折射率为1.1-1.6的材料包含以下有机材料:Teflon、Pedot-pss中的一种或几种。
10.根据权利要求5-8任一所述的图形化传输层,其特征在于:
所述折射率为1.8-3.0的材料包含ZnSe、ZnS、TiO2、Sb2S3、ZrO2、BaO、BaS、BaTiO3、Bi2O3、V2O5中的一种或几种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





