[发明专利]小片接合装置、托架、和小片接合方法有效
申请号: | 201210320701.4 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN103247552A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 杉沢佳史 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/58 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 小片 接合 装置 托架 方法 | ||
关联申请
本申请享受以日本申请专利2012-28433号(申请日:2012年2月13日)为基础申请的优先权。本申请通过参照这个基础申请而包含基础申请的全部的内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及小片(粘片)接合(die bonding)装置、托架、和小片接合方法。
背景技术
现有技术中,在将薄厚芯片小片接合时,芯片中央部用凸状的托架吸引吸附芯片,从芯片中央部朝向外侧慢慢进行扩展加压。由此,解决由空洞等引起的粘接不良。
可是,上述形状的托架中,为了加压直到芯片端为止而进行压接,必需高负荷,担心由于负荷不足无法加压直到芯片端为止和发生粘接不良。
进而,在随着芯片尺寸变大托架尺寸也变大的情况下,必需更高负荷。
一般的小片接合装置的负荷的规格为最大10~30N。因此,由于芯片的大容量化相伴的芯片尺寸的增大化,上述普通装置中负荷不足,发生粘接不良。
还有,为了加压直到芯片端为止,必需高负荷。可是,若负荷变大则芯片中央部的面压变大,对于小片接合的芯片和/或基板、在基板上层叠的芯片受到损坏。并且,配置小片接合的基板的载物台(stage)部的负荷变大,可能对载物台的耐久性引起故障。
为了对应近来的芯片的巨大化倾向,必需以低负荷且粘接性良好的小片接合方法。
发明内容
提供一种小片接合装置,能抑制对固定可挠性基板和半导体元件的粘接剂的空洞的发生及半导体元件的损坏,并且在可挠性基板上将半导体元件小片接合。
依据实施例的小片接合装置是用于将具有长方形的形状的第1半导体元件小片接合于基板的小片接合装置。小片接合装置包括:载物台,在上表面载置上述基板。小片接合装置包括:托架,具有与上述载物台的上表面平行的长方形的剖面,具有沿着与上述剖面的长边平行的线延伸并且能够弹性变形的凸部,将上述第1半导体元件的上表面吸附在上述凸部的表面。小片接合装置包括:保持器,将上述托架的上述凸部以朝向下方的方式进行保持,通过将上述托架位于上述载物台上的规定的位置,能够对上述托架施加规定的压力。
以上述第1半导体元件的长边方向成为与上述托架的上述剖面的长边方向平行的方式,将上述第1半导体元件的上表面吸附在上述托架的上述凸部的表面。
在上述载物台的上表面载置的上述基板的上表面,经由粘接材料,使上述第1半导体元件的下表面相对。
在经由上述粘接材料将上述第1半导体元件的下表面和上述基板的上表面抵接的状态下,慢慢增加对上述托架由上述保持器从上方施加的压力,使上述托架的上述凸部变形,由此上述第1半导体元件的下表面全部经由上述粘接材料粘接在上述基板的上表面。
附图说明
图1是表示实施例1涉及的小片接合装置100的构成的透视图。
图2是从长边方向Y观看图1所示的小片接合装置100的侧视图。
图3是表示从凸部侧观看图1所示的小片接合装置100的托架2的构成的俯视图。
图4是表示沿着图3的A-A线、B-B线、C-C线的托架2的剖面的一例的剖面图。
图5是表示由实施例1的小片接合装置100进行的小片接合方法的步骤的一例的剖面图。
图6是表示测量托架2的凸部的阶差的大小、负荷、和空洞发生状况的关系的结果的一例的图。
图7是表示从凸部侧观看实施例2涉及的托架2的构成的俯视图。
图8是表示沿着图7的A-A线、B-B线、C-C线的托架2的剖面的一例的剖面图。
图9是表示从凸部侧观看实施例3涉及的托架2的构成的俯视图。
图10是表示沿着图9的A-A线、B-B线、C-C线的托架2的剖面的一例的剖面图。
图11是表示沿着图9的D-D线的托架2的剖面的一例的剖面图。
符号的说明
1 载物台
2 托架
3 保持器
4 基板
5 第1半导体元件
100 小片接合装置
具体实施方式
以下,关于各实施例,基于附图进行说明。
实施例1
图1是表示实施例1涉及的小片接合装置100的构成的透视图。还有,图2是从长边方向Y观看图1所示的小片接合装置100的侧视图。还有,图3是表示从凸部侧观看图1所示的小片接合装置100的托架2的构成的俯视图。还有,图4是表示沿着图3的A-A线、B-B线、C-C线的托架2的剖面的一例的剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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