[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底中限定有单元区和外围电路区；

半导体存储器元件，所述半导体存储器元件被形成在所述单元区中的半导体衬底之上；

层间绝缘层，所述层间绝缘层被形成在所述外围电路区中的半导体衬底之上；

第一导电层，所述第一导电层大体上垂直穿通所述层间绝缘层，并且被布置成矩阵；以及

第二导电层，所述第二导电层将所述第一导电层成行或成列地耦接，每对第二导电层和分别与所述每对第二导电层耦接的第一导电层形成电容器的电极。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层大体上具有柱体形状。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体存储器元件包括源极选择晶体管、存储器单元和漏极选择晶体管。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层包括位线。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述位线和所述第二导电层由铜或铝形成。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层由钨、硅化钨、铜或铝形成。

7.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有大体沿第一方向限定的单元区和外围电路区；

栅极线，所述栅极线被形成在所述单元区中的半导体衬底之上、大体上沿与所述第一方向大体垂直的第二方向彼此间隔开、并且包括漏极选择晶体管、存储器单元和源极选择晶体管；

层间绝缘层，所述层间绝缘层被形成在所述单元区和所述外围电路区中的半导体衬底之上，以大体覆盖所述栅极线的整体；

漏极接触插塞，所述漏极接触插塞被设置在所述单元区中的层间绝缘层内、具有与所述层间绝缘层大体相同的高度、大体垂直于所述半导体衬底而延伸、并且被布置成分别与所述漏极选择晶体管相邻；

位线，所述位线大体沿所述第二方向在所述单元区中的层间绝缘层上彼此间隔开，并且分别与所述漏极选择晶体管接触；

第一导电层，所述第一导电层大体具有柱体形状，并且以矩阵形式布置在所述外围电路区中的层间绝缘层之内；以及

第二导电层，所述第二导电层大体沿所述第二方向彼此间隔开，并且在所述外围电路区中的层间绝缘层上与大体沿所述第一方向布置的第一导电层共同耦接，每对第二导电层和分别与所述每对第二导电层耦接的第一导电层形成电容器的电极。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一导电层由与所述漏极接触插塞大体相同的材料形成。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一导电层和所述漏极接触插塞由钨、硅化钨、铜或铝形成。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述位线和所述第二导电层由大体相同的导电材料形成。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中，所述位线和所述第二导电层由铜或铝形成。

12.如权利要求8所述的半导体器件，还包括在所述外围电路区中设置在所述第一导电层与所述半导体衬底之间的阻挡层。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述阻挡层由氧化物层形成。

14.如权利要求8所述的半导体器件，还包括源极接触线，所述源极接触线被设置在所述单元区中的层间绝缘层内、具有与所述层间绝缘层大体相同的高度、大体垂直于所述半导体衬底而延伸、并且被布置成分别与所述源极选择晶体管相邻。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中，所述源极接触线由与所述漏极接触插塞大体相同的材料形成。