[发明专利]封装载板及其制作方法有效
申请号: | 201210300938.6 | 申请日: | 2012-08-22 |
公开(公告)号: | CN103489791A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 王金胜;戴暐伦 | 申请(专利权)人: | 旭德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装载 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种封装结构及其制作方法,且特别是涉及一种封装载板及其制作方法。
背景技术
芯片封装的目的是提供芯片适当的信号路径、导热路径及结构保护。传统的打线(wire bonding)技术通常采用导线架(leadframe)作为芯片的承载器(carrier)。随着芯片的接点密度逐渐提高,导线架已无法再提供更高的接点密度,故可利用具有高接点密度的封装载板(package carrier)来取代之,并通过金属导线或凸块(bump)等导电媒体,将芯片封装至封装载板上。
一般来说,封装载板的制作通常是以核心(core)介电层作为蕊材,并利用全加成法(fully additive process)、半加成法(semi-additive process)、减成法(subtractive process)或其他方式,将多层的图案化线路层与图案化介电层交错堆叠于核心介电层上。如此一来,核心介电层在封装载板的整体厚度上便会占着相当大的比例。因此,若无法有效地缩减核心介电层的厚度,势必会使封装结构于厚度缩减上产生极大的障碍。
发明内容
本发明的目的在于提供一种封装载板,适于承载一芯片。
本发明的再一目的在于提供一种封装载板的制作方法,用以制作上述的封装载板。
为达上述目的,本发明提出一种封装载板的制作方法,其包括以下步骤。提供一支撑板。支撑板上已配置有一金属层。在金属层上形成一图案化干膜层。图案化干膜层暴露出部分金属层。以图案化干膜层为一电镀掩模,电镀一表面处理层于图案化干膜层所暴露出的部分金属层上。移除图案化干膜层,以暴露出部分金属层。以表面处理层为一蚀刻掩模,蚀刻金属层未被表面处理层所覆盖的部分,而形成一图案化金属层。
在本发明的一实施例中,上述形成支撑板的步骤,包括:提供两个金属层,一金属层通过一胶合剂局部结合于另一金属层上。分别于金属层上形成一导电层。分别压合一粘着层及一位于粘着层上的绝缘层于导电层上。移除胶合剂,而形成两个自独立且其上分别配置有金属层的支撑板,其中每一支撑板包括依序堆叠的绝缘层、粘着层以及导电层,且金属层位于导电层上。
在本发明的一实施例中,上述导电层的材质包括镍。
在本发明的一实施例中,上述形成导电层的方法包括电镀法。
在本发明的一实施例中,上述表面处理层的材质包括镍或银。
本发明提出一种封装载板,其适于承载一芯片。封装载板包括一支撑板、一图案化金属层以及一表面处理层。支撑板具有一上表面。图案化金属层配置于支撑板上,且暴露出部分上表面。表面处理层配置于图案化金属层上,其中芯片配置于表面处理层上且与表面处理层电连接。
在本发明的一实施例中,上述支撑板包括依序堆叠的一绝缘层、一粘着层以及一导电层,而图案化金属层位于导电层上,且暴露出部分导电层。
在本发明的一实施例中,上述表面处理层的材质包括镍或银。
在本发明的一实施例中,上述芯片通过打线接合而电连接至表面处理层。
在本发明的一实施例中,上述芯片通过倒装接合而电连接至表面处理层。
基于上述,本发明的封装载板是由图案化金属层与表面处理层来构成放置芯片的芯片座以及用来电连接的接垫,且于后续完成芯片的封胶制作工艺后,会移除支撑板,而构成一封装厚度较薄的封装结构的成品。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1G为本发明的一实施例的一种封装载板的制作方法的剖面示意图;
图2A至图2C为图1G的封装载板承载一芯片的制作工艺步骤的剖面示意图;
图3为图1G的封装载板承载一芯片的剖面示意图。
主要元件符号说明
10:胶合剂
20、25:芯片
30:粘着层
40:焊线
50:封装胶体
52:下表面
60:凸块
100:封装载板
110a、110b:金属层
110a’:图案化金属层
112:底表面
120a、120b:支撑板
121:上表面
122a、122b:导电层
124a、124b:粘着层
126a、126b:绝缘层
130:图案化干膜层
140:表面处理层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造