[发明专利]线路结构及其制作方法

权利要求书

1.一种线路结构，包括：

内层线路层，具有上表面以及配置于该上表面上的第一导电层；

第一介电层，配置于该内层线路层上且覆盖该上表面与该第一导电层，该第一介电层具有第一表面及多个从该第一表面延伸至该第一导电层的第一线路沟槽，该些第一线路沟槽的延伸方向垂直该第一导电层的延伸方向；

第一导电材料层，配置于该些第一线路沟槽内；

第二导电层，配置于该第一介电层的该第一表面上且包括一信号线路以及至少两个参考线路，其中该信号线路位于该些参考线路之间且彼此不相连，该些参考线路通过该第一导电材料层与该第一导电层电连接，且各该参考线路的线宽大于各该第一线路沟槽的宽度；

第二介电层，配置于该第一介电层上且覆盖该第一表面与该第二导电层，该第二介电层具有第二表面及多个从该第二表面延伸至该些参考线路的第二线路沟槽，该些第二线路沟槽的延伸方向垂直该第二导电层的延伸方向，且各该第二线路沟槽的宽度小于各该参考线路的线宽；

第二导电材料层，配置于该第二线路沟槽内；以及

第三导电层，配置于该第二介电层的该第二表面上，其中该第三导电层通过该第二导电材料层与该些参考线路电连接，且该第三导电层的延伸方向与该第一导电层的延伸方向及该第二导电层的延伸方向相同。

2.如权利要求1所述的线路结构，其中该第一导电层、该第一导电材料层、该些参考线路、该第二导电材料层以及该第三导电层定义出一环形挡墙，且该环形挡墙环绕该信号线路。

3.如权利要求2所述的线路结构，其中该第三导电层与该第二导电层之间的垂直距离等于该第二导电层与该第一导电层之间的垂直距离以及该信号线路与各该参考线路之间的水平距离。

4.如权利要求1所述的线路结构，其中该第一线路沟槽的宽度介于5微米至50微米之间，且该第二线路沟槽的宽度介于5微米至50微米之间。

5.如权利要求1所述的线路结构，其中该第一介电层的厚度介于5微米至60微米之间，且该第二介电层的厚度介于5微米至60微米之间。

6.如权利要求1所述的线路结构，其中该第一导电材料层的材质与该第二导电层的材质相同，且该第二导电材料层的材质与该第三导电层的材质相同。

7.一种线路结构的制作方法，包括：

提供一内层线路层，该内层线路层具有上表面以及配置于该上表面上的第一导电层；

形成一第一介电层于该内层线路层上，该第一介电层层覆盖该内层线路层的该上表面与该第一导电层且具有第一表面；

对该第一介电层进行一第一次激光烧蚀步骤，以形成多个从该第一介电层的该第一表面延伸至该第一导电层的第一线路沟槽，其中该些第一线路沟槽的延伸方向垂直该第一导电层的延伸方向；

填充一第一导电材料层于该些第一线路沟槽内，其中该第一导电材料层填满该些第一线路沟槽；

形成一第二导电层于该第一介电层的该第一表面上，该第二导电层包括一信号线路以及至少二参考线路，其中该信号线路位于该些参考线路之间且彼此不相连，该些参考线路通过该第一导电材料层与该第一导电层电连接，且各该参考线路的线宽大于各该第一线路沟槽的宽度；

形成一第二介电层于该第一介电层上，该第二介电层覆盖该第一介电层的该第一表面与该第二导电层且具有第二表面；

对该第二介电层进行一第二次激光烧蚀步骤，以形成多个从该第二介电层的该第二表面延伸至该些参考线路的第二线路沟槽，其中该些第二线路沟槽的延伸方向垂直该第二导电层的延伸方向，且各该第二线路沟槽的宽度小于各该参考线路的线宽；

填充一第二导电材料层于该些第二线路沟槽内，其中该第二导电材料层填满该些第二线路沟槽；以及

形成一第三导电层于该第二介电层的该第二表面上，该第三导电层通过该第二导电材料层与该些参考线路电连接，且该第三导电层的延伸方向与该第一导电层的延伸方向及该第二导电层的延伸方向相同。

8.如权利要求7所述的线路结构的制作方法，其中该第一导电层、该第一导电材料层、该些参考线路、该第二导电材料层以及该第三导电层定义出一环形挡墙，且该环形挡墙环绕该信号线路。

9.如权利要求8所述的线路结构的制作方法，其中该第三导电层与该第二导电层之间的垂直距离等于该第二导电层与该第一导电层之间的垂直距离以及该信号线路与各该参考线路之间的水平距离。