[发明专利]IGBT器件的制作方法无效
| 申请号： | 201210286845.2 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103035520A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;李琳松;季伟;李刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 器件 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT器件的制作方法，其特征在于：在IGBT分离器件的金属层沉积之前，在已经形成的器件结构的硅片背面形成具有正应力的膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述具有正应力的膜可以在金属前介质层沉积后形成，也可以在金属层沉积前的任何工艺步骤中形成。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：在形成所述具有正应力的膜之前，在硅片的正面已完成的器件结构的上端沉积一层保护膜。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述保护膜为常压化学气相沉积膜，膜厚为
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：在形成所述具有正应力的膜后，采用单面湿法刻蚀或双面湿法刻蚀将所述保护膜去除。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述具有正应力的膜为亚常压化学气相沉积膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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