[发明专利]一种半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210265059.4 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103579077A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底中形成浅沟道隔离，所述浅沟道隔离高出所述衬底；
对所述浅沟道隔离进行紫外光处理；
形成阻挡层，所述阻挡层位于浅沟道隔离两侧。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述紫外光处理的氛围是：在氦气氛围，200~800℃的情况下，照射1~30min。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氦气流量为100~10000sccm。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成阻挡层的工艺条件为：氮气流量为10~1000sccm，反应温度为200~650℃，功率为10~500W。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底上形成有有源区氧化层和有源区掩膜层。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底中形成浅沟道隔离，包括如下步骤：
采用光刻刻蚀工艺贯穿所述有源区氧化层和有源区掩膜层，并刻蚀衬底以形成凹槽；
在所述凹槽内壁形成衬垫，之后，继续形成浅沟道隔离。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述浅沟道隔离进行紫外光处理之前，包括如下步骤：
去除所述有源区氧化层和有源区掩膜层。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成阻挡层之后，还包括如下工艺步骤：
在所述衬底上形成栅极氧化层；
在所述栅极氧化层上形成高K介质层，所述高K介质层位于所述阻挡层两侧。
9.一种如权利要求1~8中的任一项所述的半导体结构的形成方法所形成的半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有浅沟道隔离，所述浅沟道隔离经过紫外光处理；
形成于所述浅沟道隔离两侧的阻挡层。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述浅沟道隔离高出所述衬底。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的栅极氧化层及位于所述栅极氧化层上的高K介质层。
12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极氧化层及高K介质层皆位于所述阻挡层两侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
