[发明专利]形成镶嵌互连结构的机构

权利要求书

1.一种互连结构，包括：

第一沟槽；以及

第二沟槽，其中，所述第二沟槽比所述第一沟槽宽，这两个沟槽均衬有扩散阻挡层，并且第一导电层沉积在所述扩散阻挡层上方，金属保护层沉积在所述第一导电层上方，以及第二导电层沉积在所述第二沟槽中的所述金属保护层上方。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第二导电层也沉积在所述第一沟槽中的所述金属保护层上方。

3.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一导电层在所述第一沟槽中的厚度大于在所述第二沟槽中的厚度。

4.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一导电层和所述第二导电层均包含铜。

5.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述金属保护层包含钴、镍、钨、钼、硅、锌、铬、硼、磷、氮或这些的组合中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述金属保护层的厚度在约0.5nm到约20nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的互连结构，其中，从所述第二沟槽的顶面到所述第一导电层的距离在约1nm到约50nm的范围内。

8.一种形成互连结构的方法，包括：

在衬底上的介电层中形成第一开口和第二开口，其中，所述第一开口比所述第二开口窄；

沉积扩散阻挡层作为所述第一开口和所述第二开口的衬层；以及

在所述扩散阻挡层作为所述第一开口和所述第二开口的衬层之后，形成回流金属层以填充至少部分的所述第一开口和所述第二开口，其中，所述回流金属层在所述第一开口中的厚度大于在所述第二开口中的厚度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述回流金属层包括：

沉积金属层；以及

回流所述金属层以使衬底表面上的所述金属层移动到所述第一开口和所述第二开口中，从而形成所述回流金属层，

并且在配置成加热所述衬底至约150℃到约450℃的温度的沉积中形成所述回流金属层。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述回流金属层上方沉积金属保护层；

沉积另一金属层，以填充所述第一开口和所述第二开口的剩余部分；以及

实施去除工艺以去除位于所述介电层上方的所述另一金属层、所述金属保护层以及扩散阻挡层，

其中，所述金属保护层的厚度在约0.5nm到约20nm的范围内；

所述金属保护层包括钴、镍、钨、钼、硅、锌、铬、硼、磷、氮或这些的组合中的至少一种；并且

所述第一开口的宽度在约5nm到约100nm的范围内。