[发明专利]半导体材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210251976.7 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102881570A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体材料 制备 方法 | ||
1.一种半导体材料的制备方法，其特征在于：所述的方法包括以下步骤：
A)选择初始衬底，将初始沉底放入金属有机化合物化学气相沉淀装置的内腔中对其外表面进行预处理；
B)采用金属有机化合物化学气相沉淀法，初始衬底的外表面外延生长形成初始GaN层；
C)暂停GaN的外延生长，在初始GaN层表面上原位淀积形成一具有孔状结构的SiNx介质薄膜层；
D)采用金属有机化合物化学气相沉淀法继续GaN的外延生长，GaN先从SiNx介质薄膜层的孔中外延长出后，GaN再横向外延生长，直至覆盖初始GaN层的外表面形成GaN外延层。
2.根据权利要求1所述的半导体材料的制备方法，其特征在于：在步骤A)中，所述初始衬底的材料为包括但不局限于蓝宝石、碳化硅或硅衬底中的一种。
3.根据权利要求1所述的半导体材料的制备方法，其特征在于：在步骤A)中，所述初始GaN层的厚度为0.5-3.0微米。
4.根据权利要求1所述的半导体材料的制备方法，其特征在于：在步骤A)中，所述初始衬底的材料为蓝宝石，初始GaN层包括GaN低温结核层和GaN缓冲层。
5.根据权利要求1所述的半导体材料的制备方法，其特征在于：多次重复步骤B)至步骤D)直至达到制备器件的要求。
6.根据权利要求1所述的半导体材料的制备方法，其特征在于：在步骤B)中，所述初始GaN层的位错密度在108-1010cm-2之间。
7.根据权利要求1所述的半导体材料的制备方法，其特征在于：在步骤D)中，所述GaN外延层的位错密度在106-107cm-2之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
