[发明专利]在封装件形成期间探测芯片

说明书

技术领域

本发明涉及一种探测芯片的方法及由该方法得到的器件。

背景技术

三维集成电路(3DIC)通常用于冲破二维(2D)电路的障碍。在3DIC中，堆叠两个或两个以上的封装组件，其中封装组件包括中间层、封装基板、印刷电路板(PCB)等。可以在一些诸如器件管芯和/或中介层的封装组件中形成穿透硅通孔(TSV)。

3DIC遭受可能导致制造产量损失的各种问题。例如，用于接合两种封装组件的连接件可能破裂。连接件也可能与对应的封装组件分层。当3DIC包括晶圆时，晶圆中可能具有严重的翘曲，并且该翘曲可能会导致生产工艺中的困难。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括：在第二封装组件的第一面上接合第一封装组件；从所述第二封装组件的第二面探测所述第一封装组件和所述第二封装组件，其中，通过探测位于所述第二封装组件的所述第二面上的连接件执行探测步骤，并且其中，所述连接件连接至所述第一封装组件；以及在所述探测步骤之后，在所述第二封装组件的所述第一面上接合第三封装组件。

在上述方法中，还包括：在接合所述第一封装组件的步骤之后和在所述探测步骤之前，从与所述第一面相对的背面对所述第二封装组件实施背面研磨，其中，暴露出位于所述第二封装组件中的通孔；以及在所述第二封装组件的所述第二面上形成所述连接件，其中，通过所述通孔将所述连接件电连接至所述第一封装组件。

在上述方法中，其中，在接合所述第一封装组件的步骤之前，在所述第二封装组件的所述第二面上形成所述连接件。

在上述方法中，还包括：在接合所述第一封装组件的步骤之后，在所述第一封装组件和所述第二封装组件上涂覆第一膜；将所述第一封装组件、所述第二封装组件、和所述第一膜设置在载具上，其中，通过第二膜将所述第一膜连接至所述载具；以及在所述探测步骤之后，去除所述第一膜和所述第二膜。

在上述方法中，其中，所述第一封装组件包括器件管芯，所述第二封装组件是包括多个管芯的中介晶圆，并且其中，所述方法还包括，在所述探测步骤之后和在接合所述第三封装组件的步骤之前，实施管芯切割以将所述中介晶圆切割成单个封装件。

在上述方法中，还包括：在接合所述第三封装组件的步骤之前，在所述第一封装组件和所述第二封装组件之间提供第一底部填充区；以及在接合所述第三封装组件的步骤之后，在所述第二封装组件和所述第三封装组件之间提供第二底部填充区。

在上述方法中，还包括，在接合所述第一封装组件的步骤之后以及在接合所述第三封装组件的步骤之前，将所述第二封装组件接合至第四封装组件。

在上述方法中，其中，所述第一封装组件和所述第三封装组件包括器件管芯，并且其中，所述第二封装组件包括中介层或者器件管芯。

根据本发明的另一方面，还提供了一种方法，包括：在中介晶圆的第一面上接合多个第一管芯以形成多个封装件，其中，所述中介晶圆包括多个中介层，并且其中，每个所述多个封装件都包括接合至所述多个中介层之一的一个所述多个第一管芯；从所述中介晶圆的第二面探测所述多个封装件以识别合格的封装件和有缺陷的封装件，其中，通过探测位于所述中介晶圆的所述第二面上的连接件执行探测步骤，并且其中，所述连接件连接至所述多个第一管芯；在所述探测步骤之后，实施管芯切割以将所述多个封装件彼此分开；以及在所述合格的封装件上接合多个第二管芯，其中，所述有缺陷的封装件不与所述多个第二管芯中的任何一个接合。

在上述方法中，还包括：在接合所述多个第一管芯的步骤之后以及在所述探测步骤之前，对所述中介晶圆实施背面研磨，其中，暴露出位于所述中介晶圆中的通孔；以及在所述中介晶圆的所述第二面上形成所述连接件，其中，通过所述通孔将所述连接件电连接至所述多个第一管芯。

在上述方法中，其中，在接合所述多个第一管芯的步骤之前，在所述中介晶圆的所述第二面上形成所述连接件。

在上述方法中，还包括：在接合所述多个第一管芯的步骤之后，在所述多个第一管芯和所述中介晶圆上涂覆第一包含聚合物膜；将所述第一包含聚合物膜设置在载具上，其中，通过第二包含聚合物膜将所述第一包含聚合物膜连接至所述载具；以及在所述探测步骤之后，从所述多个封装件去除所述第一包含聚合物膜和所述第二包含聚合物膜。

在上述方法中，还包括，在实施所述管芯切割的步骤之后以及在接合所述多个第二管芯的步骤之前，在封装基板上接合一个所述合格封装件。