[发明专利]高压发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明为一种发光二极管及其制造方法，尤其是有关于一种高压发光二极管与其制造方法。

背景技术

高压发光二极管(HV LED)的基本架构与交流发光二极管(AC LED)相同，都是将芯片面积分割成多个串联子发光二极管，且高压发光二极管的特色在于高压发光二极管的芯片能够依照客户不同输入电压的需求，而决定串联子发光二极管的数量与大小等。此外，亦可针对单一子发光二极管进行最佳化，以得到较佳的电流分布，进而提高发光效率。高压发光二极管的发光效率优于传统低压发光二极管的原因在于高压发光二极管不仅仅能够应用于定直流电中，且只要外接桥式整流器，高压发光二极管也能够应用于交流电环境，非常具有弹性。且高压发光二极管较交流发光二极管少了内部桥整的发光区，使发光效率相对较高，耐用度也较佳。此外，由于高压发光二极管具有小电流、多个串联的子发光二极管的设计，因此，更能均匀地散扩电流，进而提升光萃取的效率。

图1A显示传统高压发光二极管1的示意图。高压发光二极管1的各子发光二极管C1～C16依续以串联方式构成，其中P型电极位于子发光二极管C1上，而N型电极位于子发光二极管C16。而各子发光二极管C1～C16的面积相同。图1B显示传统高压发光二极管的点亮状态，且如图所示，子发光二极管C1与C16因为具有P、N型电极，通常在P电极下方会制作电流阻障层避免电流直接流经P电极下方而无法有效地扩散，故造成子发光二极管C1与C16在点亮时，其有效发光面积变小使得电流密度变大，而导致子发光二极管C1与C16亮度较亮，造成发光不均匀现象。另外由于子发光二极管C1与C16在点亮时会有较大的电流密度，最后造成子发光二极管C1与C16的使用寿命较其它子发光二极管C2～C15较短。

鉴于传统的高压发光二极管并无法有效改善电流密度不均所造成发光不均匀以及芯片寿命不等问题，因此，需要提出一种新颖的高压发光二极管，可用于平均电流密度，改善发光均匀性以及延长芯片寿命。

发明内容

鉴述上述，本发明提供一种高压发光二极管，可平均电流密度以延长高压发光二极管的使用寿命。

在一实施例中，本发明提供一种制造高压发光二极管的方法，其包括：根据一预定的发光亮度，计算该高压发光二极管的总面积；根据一预定的操作电压，计算子发光二极管的数目；将该总面积扣除每一个子发光二极管间的隔离沟槽面积、电极面积与各子发光二极管之间串联导电导线面积后,除以该子发光二极管的数目，进而计算每一个子发光二极管的有效发光面积；以及根据该有效发光面积，进而调整该具有电极的子发光二极管以及该不具有电极的子发光二极管的面积，进而使该具有电极的子发光二极管大于该不具有电极的子发光二极管的面积。

在另一实施例中，本发明提供一种高压发光二极管，包括：多个子发光二极管，且该多个子发光二极管包括具有电极的子发光二极管与不具有电极的子发光二极管；其中该具有电极的子发光二极管的面积大于该不具有电极的子发光二极管的面积。

为进一步对本发明有更深入的说明，乃通过以下图示、图号说明及发明详细说明，冀能对贵审查员于审查工作有所帮助。

附图说明

图1A显示传统高压发光二极管1的示意图。

图1B显示传统高压发光二极管的点亮状态。

图2显示根据本发明的一实施例的高压发光二极管2。

图3的流程图显示根据本发明的一实施例的制造高压发光二极管的方法。

[主要元件标号说明]

1、2  高压发光二极管

21    串联导电导线

22    隔离沟槽

C1～C16     子发光二极管

P、N        电极

s301～s304  步骤

具体实施方式

为使贵审查员能对本发明的特征、目的及功能有更进一步的认知与了解，下文特将本发明的装置的相关细部结构以及设计的理念原由进行说明，以使得审查员可以了解本发明的特点，详细说明陈述如下：