[发明专利]高压发光二极管及其制造方法无效
申请号: | 201210238497.1 | 申请日: | 2012-07-10 |
公开(公告)号: | CN103390582A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 陈彦玮;朱陆水 | 申请(专利权)人: | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造高压发光二极管的方法,该方法包括:
根据一预定的发光亮度,计算该高压发光二极管的总面积;
根据一预定的操作电压,计算出子发光二极管的数目;
将该总面积扣除每一个子发光二极管间的隔离沟槽面积、电极面积与各子发光二极管之间串联导电导线面积后除以该子发光二极管的数目,进而计算每一个该子发光二极管的有效发光面积;以及
根据该有效发光面积,进而调整该具有电极的子发光二极管以及该不具有电极的子发光二极管的面积,进而使该具有电极的子发光二极管大于该不具有电极的子发光二极管的面积。
2.根据权利要求1所述的制造高压发光二极管的方法,其中该电极为P型电极或N型电极。
3.根据权利要求1所述的制造高压发光二极管的方法,其中该多个子发光二极管的排列为一矩阵排列。
4.根据权利要求1所述的制造高压发光二极管的方法,其中每一个该不具有电极的子发光二极管的面积扣除该子发光二极管上的串联导电导线的面积即为该子发光二极管的有效发光面积。
5.根据权利要求1所述的制造高压发光二极管的方法,其中每一个该子发光二极管的有效发光面积加上该子发光二极管上的串联导电导线的面积与该电极面积为调整后的该具有电极的子发光二极管的面积。
6.根据权利要求1所述的制造高压发光二极管的方法,其中每一个该子发光二极管彼此间相互串联。
7.根据权利要求1所述的制造高压发光二极管的方法,其中该高压发光二极管包括一具有P型电极的子发光二极管以及一具有N型电极的子发光二极管。
8.一种高压发光二极管,包括:
多个子发光二极管,且该多个子发光二极管包括具有电极的子发光二极管与不具有电极的子发光二极管;
其中该具有电极的子发光二极管的面积大于该不具有电极的子发光二极管的面积。
9.根据权利要求8所述的高压发光二极管,其中该多个子发光二极管的排列为一矩阵排列。
10.根据权利要求8所述的高压发光二极管,其中该不具有电极的子发光二极管的面积均相等。
11.根据权利要求8所述的高压发光二极管,其中该具有电极的子发光二极管的面积为该不具有电极的子发光二极管的面积加上该电极的电极面积的和。
12.根据权利要求8所述的高压发光二极管,其中该高压发光二极管包括一具有P型电极的子发光二极管以及一具有N型电极的子发光二极管。
13.根据权利要求8所述的高压发光二极管,其中每一个该子发光二极管彼此间相互串联。
14.根据权利要求8所述的高压发光二极管,其中该高压发光二极管还包括每一个子发光二极管间的隔离沟槽。
15.根据权利要求14所述的高压发光二极管,其中该高压发光二极管还包括每一个子发光二极管间的串联导电导线。
16.根据权利要求8所述的高压发光二极管,其中每一个该子发光二极管的面积为几何面积,其中该几何面积包括圆形面积或多边形面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造