[发明专利]一种失调存储的低功耗高速比较器

权利要求书

1.一种失调存储的低功耗高速比较器，其特征在于，包括：顺序连接的输入采样开关，前置放大器、耦合电容、伪差分二级预放大器，输出动态锁存器，其中

所述伪差分二级预放大器采用电源电压受控制的反相器实现，通过平均电流控制技术，在降低平均功耗的同时提供一个高速高增益级，降低静态功耗，提高比较器的整体速度。

2.根据权利要求1所述的失调存储的低功耗高速比较器，其特征在于，所述伪差分二级预放大器包括，PMOS晶体管(302)，PMOS晶体管(303)，PMOS晶体管(305)，PMOS晶体管(307a)，PMOS晶体管(307b)，NMOS晶体管(304)，NMOS晶体管(306)，NMOS晶体管(308a)，NMOS晶体管(308b)，运算放大器(309)，其中，PMOS晶体管(302)、PMOS晶体管(303)的源极，NMOS晶体管(304)的漏极分别与电源相接；PMOS晶体管(302)的源极和PMOS晶体管(302)的栅极相接，并与PMOS晶体管(303)的栅极相接，构成电流镜结构；PMOS晶体管(303)的漏极和PMOS晶体管(305)的源极相接，并与运算放大器(309)的正输入端相接；PMOS晶体管(305)的漏极和PMOS晶体管(305)的栅极相接，并与NMOS晶体管(306)的漏极和栅极相接，NMOS晶体管(306)的源极与地相接，构成偏置电路；NMOS晶体管(304)的栅极和运算放大器(309)的输出端(312)相接，NMOS晶体管(304)的源极和运算放大器(309)的负输入端相接，构成一个稳压电路；PMOS晶体管(307a)的源极和PMOS晶体管(307b)的源极相接，并与运算放大器(309)的负输入端相接；PMOS晶体管(307a)的栅极和NMOS晶体管(308a)的栅极相接，作为所述二级预放大器的正输入端(105)，PMOS晶体管(307a)的漏极和NMOS晶体管(308a)的漏极相接，作为所述二级预放大器的负输出端(107)，NMOS晶体管(308a)的源极接地；PMOS晶体管(307b)的栅极和NMOS晶体管(308b)的栅极相接，作为所述二级预放大器的负输入端(106)，PMOS晶体管(307b)的漏极和NMOS晶体管(308b)的漏极相接，作为所述二级预放大器的正输出端(108)，NMOS晶体管(308b)的源极接地。

3.根据权利要求2所述的伪差分二级预放大器，其特征在于，所述PMOS晶体管(302)的宽长比和PMOS晶体管(303)的宽长比设置是成比例的，PMOS晶体管(307a)的宽长比和PMOS晶体管(307b)的宽长比设置是匹配的，NMOS晶体管(308a)的宽长比和NMOS晶体管(308b)的宽长比设置是匹配的，PMOS晶体管(305)的宽长比是PMOS晶体管(307a/b)宽长比的两倍，NMOS晶体管(306)的宽长比是NMOS晶体管(308a/b)宽长比的两倍，NMOS晶体管(304)和运算放大器(309)构成的稳压电路，用于稳定PMOS晶体管(307a/b)的源端电压。