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[发明专利]一种失调存储的低功耗高速比较器-CN201210238414.9在审
发明人：陈蒙;鲁文高;王冠男;方然;游立;肖永强;张雅聪;陈中建;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种失调存储的低功耗高速比较器，包括顺序连接的输入采样开关，前置放大器、耦合电容、二级预放大器和输出动态锁存器。本发明在传统预放大锁存比较器的基础上采用了失调电压存储的自动校零技术，并利用电源电压受控的反相器实现了一种新型的低功耗高速二级预放大器结构，通过平均电流控制技术，在降低平均功耗的同时提供一个高速高增益级。本发明总体上有效减少了比较器输入失调电压，在不显著增加功耗的基础上大幅提高比较器的速度，能够更好的满足高速数据转换器的设计需要。
一种失调存储功耗高速比较

[发明专利]一种基于局部匹配的多通道LED恒流源驱动电路-CN201110034334.7有效
发明人：黄泽;鲁文高;余力澜;王冠男;王钊;尹航;张雅聪;陈中建;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于局部匹配的低失配多通道LED恒流源驱动电路结构，属于微电子和LED驱动技术领域。该LED恒流源驱动电路包括一个VG产生电路、一个电流源ID、一个电流镜、n个通道和k条Mref支路，所述VG产生电路根据电路需求产生给电路中功率管和Mref的栅极电压，n个通道共享一个相同的VG，所述电流源ID为系统中不同通道复制的电流来源，所述电流镜复制ID产生k个不同的相等电流源，所述k个电流源分别流过k个Mref支路。本发明提出的结构中可以采用局部匹配的措施，所以总体复制失配大大减小。
一种基于局部匹配通道 led 恒流源驱动电路

[发明专利]一种红外焦平面阵列读出电路及其自适应功耗调整方法-CN201110299627.8有效
发明人：王冠男;鲁文高;方然;张雅聪;陈中建;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H04N5/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种带窗口读出模式的自适应功耗调整的红外焦平面阵列读出电路及其自适应功耗调整方法。本发明实现了带窗口功能的焦平面阵列读出电路的自适应功耗调整，列运放和输出运放的尾电流源分别设计成由k个晶体管组成的电流源阵列，并在列运放上增加了功耗控制开关管。本发明的方法使得无论在大窗口，低帧频工作模式下，还是在小窗口，高帧频工作模式下，都能够在满足速度要求的情况下，以适当的功耗正常工作，并有效地避免了单一功耗设计时，在不同工作模式下出现的功耗浪费。本发明可以满足高分辨率，便携式成像系统的要求，将会获得广泛的应用。
一种红外平面阵列读出电路及其自适应功耗调整方法

[发明专利]一种非对称结构的功率MOS晶体管及其阵列-CN201110046602.7无效
发明人：张勇;鲁文高;黄泽;陈博;汤耀云;陈中建;张雅聪;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率MOS晶体管，属于半导体器件领域。该功率MOS晶体管包括源极、漏极和栅结构，栅结构的具体设计为：以版图几何中心为圆心作圆，分别制作两个十六边八角图形；这两个十六边八角图形的边相互平行，边与边之间间隙构成一八角形的弯折带，该弯折带为栅结构的图形。本发明在保证漏极接触孔到栅结构的距离不变的前提下，缩小了源级到栅结构的距离，得到较小的版图实现面积和较小的源端连接金属压降。
一种对称结构功率 mos 晶体管及其阵列

[发明专利]基于小面积功率管的低失配多通道LED恒流源驱动电路-CN201110034290.8无效
发明人：鲁文高;王钊;黄泽;陈鸣;尹航;张雅聪;陈中建;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于小面积功率管的低失配多通道LED恒流源驱动电路结构，属于微电子和LED驱动技术领域。该LED恒流源驱动电路包含ID产生模块IDGen，电流镜以及n个通道，所述ID产生模块包含一个运放和一个MOS管，所述电流镜电流ID产生n个相等的电流Iref1，Iref2，...，Irefn，所述n个通道的结构一致，包含一个运放和两个MOS管，其中，一个MOS管为功率管，该功率管的宽长比是另一MOS管的宽长比的m倍。本发明在版图上可以做匹配性设计，可以使失配降低到最小。
基于面积功率管失配通道 led 恒流源驱动电路

[发明专利]一种直流/直流转换器以及直流/直流转换方法-CN201010145243.6有效
发明人：赵汗青;鲁文高;陈中建;方然;王新安;聂辉;鞠原;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种直流/直流转换器及转换方法，属于微电子和电源管理技术领域。为在满足高频开关要求的前提下，实现了更少的硬件开销和功率消耗，本发明提供一种直流/直流转换器，包括：电流检测模块，用于生成电流检测信号；振荡器，用于对电流检测信号进行叠加补偿；误差放大器，用于反馈电压以及带隙参考电压进行比较，得到误差放大信号；比较器，用于对补偿后电流检测信号以及误差放大信号进行比较，产生脉宽调制信号；逻辑电路，产生用于控制所述功率开关的控制信号。本发明相对于传统结构复杂度大大降低，不仅能减少功能消耗、提高性能，同时因为芯片面积减小，在成本上也会有更大优势，能够提升直流/直流转换芯片的产品竞争力。
一种直流转换器以及转换方法

[发明专利]一种失调电容自动校准电路及方法-CN201010139606.5有效
发明人：方然;鲁文高;陈中建;张雅聪;鞠原;刘仁直;郭娟;肖永强;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS传感器电容读出电路中失调电容自动校准电路及方法，属于微电子集成电路设计及微电子MEMS技术领域。针对现有技术中的问题，本发明提供一种失调电容自动校准电路及方法，该电路包括复位电路，用于进行电荷放大器复位重置；比较电路，用于读取并比较电荷放大器输出信号；逐次逼近电路，用于接受比较结果并生成电容补偿控制码；补偿电容阵列电路，用于根据电容补偿控制码指令对传感器电容形成补偿电容。该技术方案只需要一个校准开始信号，电路在经过N+1个载波周期后即可自动调节补偿电容大小来实现电容补偿，便捷易用，比手动调整更加准确；电路实现复杂度低，而且电路功耗也大大降低，具有很高的实际应用价值。
一种失调电容自动校准电路方法

[发明专利]红外焦平面读出电路及其输出级结构-CN200810119758.1无效
发明人：刘畅;鲁文高;陈中建;张雅聪;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-09-08 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外焦平面读出电路的输出级结构，包括：列输出级，包括N个列放大器，用于每列像素信号的读出；输出缓冲级，用于将列输出级的信号串行输出；N个第一开关，连接各列放大器至输出缓冲级输入端；N个第二开关，连接输出缓冲级输出端至各列放大器正输入端；第一开关及第二开关由读出电路的列选信号控制导通，实现信号通过输出缓冲级串行输出。本发明还提出一种采用上述输出级结构的读出电路。本发明的输出级结构及其应用的红外焦平面输出电路，由列放大器及输出缓冲级整体构成单位增益连接，使信号的读出速率得到很大提升，同时使读出电路的结构得到简化，也相应降低了功耗。
红外平面读出电路及其输出结构

[发明专利]高速低功耗双列线红外焦平面读出电路-CN200810119756.2无效
发明人：鲁文高;刘畅;陈中建;张雅聪;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-09-08 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速低功耗双列线红外焦平面读出电路，包括M×N的像素单元阵列，行、列控制信号产生逻辑及输出缓冲级，还包括：2N条列线，每列像素单元对应奇、偶两条列线，在每列像素单元中，奇数行和偶数行的像素单元分别连接至奇列线和偶列线；2N个采样控制开关，分别连接至每条列线，进行积分信号的采样控制，且每列像素单元对应的奇、偶两条列线通过采样控制开关连接至同一采样电容。本发明的技术方案通过采用双列线结构解决了积分时间和信号读出速率之间的矛盾，在一个行周期内，电路可以完成对两行像素的积分和两行信号的读出，同时并没有引入额外的列读出级和输出缓冲级，从而实现了低代价、低功耗、高信噪比及高读出速率。
高速功耗双列线红外平面读出电路

[发明专利]焦平面读出电路像素单元电路-CN200510011535.X无效
发明人：高峻;陈中建;贾嵩;鲁文高;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2005-04-07 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H04N5/33 文献下载
摘要：本发明提供了一种焦平面读出电路像素单元电路，属于微电子及光电子成像技术领域。该电路包括：一MOS注入管和一差分运算放大器，MOS注入管源端与探测器相连接，MOS注入管漏端作为电流输出端口，差分运算放大器的正输入端接固定电压，差分运算放大器的输出接MOS注入管的栅端，在MOS注入管漏端和差分运算放大器负输入端之间串联一自校正用电容，将差分运算放大器的失调电压存储在该自校正用电容中。本发明通过在BDI电路的基础上加入自校正步骤，尽可能消除工艺偏差引入的探测器偏置电压改变，从而减小了固定模式噪声。
平面读出电路像素单元

[发明专利]信息安全集成电路针对加解密操作的处理方法-CN200410009318.2无效
发明人：蒋安平;刘越;吉利久;盛世敏 -专利权人：北京大学
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种信息安全集成电路的加解密处理方法，属于集成电路设计技术领域。对称密码算法通过控制信号进行加解密控制，该控制信号有一个独立压点，它设置在一个电源压点和一个地线压点之间，在进行封装时，根据需要将控制信号压点连接到芯片外部管脚、相邻的电源压点或相邻的地线压点上，利用内部电平高低，形成三种不同的电路，完成应用所需要的单向操作，即加解密、加密或解密操作，在不增加成本的情况下，实现了利用一种集成电路芯片完成三种不同加解密功能的目的。
信息安全集成电路针对解密操作处理方法

[发明专利]一种焦平面阵列读出电路及其读出方法-CN200310117388.5无效
发明人：鲁文高;陈中建;高峻;刘菁;刘丹;唐矩;崔文涛;吉利久 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种焦平面阵列读出电路，包括两组行选控制电路，两组列选控制电路，两组列读出级，两个视频输出级；像素单元Pixel(i，j)通过两个MOS开关管与两条列线相连，Pixel(i，j)在行选控制L产生的行选择信号rs(i)L的控制下与两条列线中的一条相连，该列线与列读出级U相连，并在列选控制U产生的列选择信号col(j)U的控制下与第一视频输出级相连；同时，Pixel(i，J)在行选控制R产生的行选择信号rs(i)R的控制下与两条列线中的另一条相连，该列线与列读出级D相连，并在列选控制D产生的列选择信号col(j)D的控制下与第二视频输出级相连。本发明的焦平面阵列读出电路，可以采用正常模式下的奇偶行并行读出方法，还可以采用窗口模式下的双窗口并行读出方法。
一种平面阵列读出电路及其方法

[发明专利]32位加法器电路结构-CN02100380.7无效
发明人： 吉利久;贾嵩;王迎春;刘凌;兰景宏;张钢刚;傅一玲 -专利权人：北京大学
申请日： 2002-01-17 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： G06F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种32位加法器电路结构。该电路在分组之间利用进位跳跃算法，分组内部采用ELM树形加法结构，采用新的进位结合结构将初始进位嵌入到进位链中，使得组内的进位传递实现并行，其关键路径延迟与组内的位数呈对数关系。该电路结构实现了速度快、面积小的加法器，具有连线简单、易于集成的优点，可以有效地实现32位和16位二进制加法运算。
32 加法器电路结构

[发明专利]一种焦平面读出电路像素阵列的布图方法和金属布线结构-CN01134707.4无效
发明人： 吉利久;鲁文高;陈中建;高峻;傅一玲 -专利权人：北京大学
申请日： 2001-11-08 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种焦平面读出电路像素阵列的布图方法和金属布线结构，属于微电子及光电子领域中成像系统读出电路中的像素阵列设计技术领域。本发明通过确定像素的特殊排列方式和新型的像素布图结构，并在此基础上采用特殊的探测器阵列、像素阵列连接方式进行布图，布图可以采用反转、移位的重复对称布图方式。根据本发明的布图方法提出一种金属布线结构：水平方向长走线与垂直方向长走线采用不同的金属层，避免同层金属线交叉；水平方向长走线采用Metal2、垂直方向长走线采用Metal1；垂直方向短走线采用Metal1。采用本发明的布图方法和金属布线结构，不仅实现了OES结构，并且使阵列的走线简单、积分电容的面积利用率高。
一种平面读出电路像素阵列方法金属布线结构

[发明专利]BSIM3V3模型中的阈值电压模型参数提取方法-CN01130755.2无效
发明人： 吉利久;张立昂;崔鹏;蒋敏;杨兵;窦训金 -专利权人：北京大学
申请日： 2001-08-23 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种BSIM3V3模型中的阈值电压模型参数提取方法，提取过程为：(1)器件选择，即选择一组大尺寸器件和一组小尺寸器件，小尺寸器件选择不同长度L和不同宽度W的器件组合，大尺寸器件选择不同宽度W和相同长度L的器件，0.35μm≤L≤20μm，0.35μm≤W≤20μm，小尺寸器件的最少个数为四，大尺寸器件的最少个数为三；(2)得到观测值：测量在不同体偏压Vbs(-3V-0V)和漏偏压Vds(0V-3V)下阈值电压Vth的值，得到一组Vth的观测值；(3)计算得到参数。本发明实现了参数的整体提取，不需要人工干预，准确度高。
bsim3v3 模型中的阈值电压参数提取方法

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