[发明专利]具有透明导电层的发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.具有透明导电层的发光二极管，包括：外延层，由半导体材料层堆叠而成；透明导电层，形成于所述外延层之上，其特征在于：所述透明导电层包含第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层，其中

       所述第一氧化铟锡层形成于所述外延层上，呈不完全连续的薄膜分布状态，未分布区域与所述外延层形成电流阻挡作用；

       所述第二氧化铟锡层形成于所述第一氧化铟锡层上，其致密性优于所述第一氧化铟锡层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一氧化铟锡层的厚度为10~100?。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一氧化铟锡层通过电子束蒸镀形成不完全连续的薄膜分布状态，其上分布有孔洞结构。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述孔洞直径50~100nm。

5.根据权利要求1所述的透明导电层，其特征在于：所述第二氧化铟锡层通过离子束溅射的方式形成。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第二氧化铟锡层分为底部层和主体层，所述底部层采用第一离子束溅镀而成，主体层采用第二离子束溅镀而成，其中所述第一离子束的能量小于第二离子束的能量。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第二氧化铟锡层的底部层厚度为100~200?。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第二氧化铟锡层的主体层厚度为600~1200?。

9.具有透明导电层的发光二极管的制作方法，包括步骤：

生长外延层，其由半导体材料层堆叠而成；

在所述外延层形成透明导电层，其包含第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层，其中

所述第一氧化铟锡层形成于所述外延层上，呈不完全连续的薄膜分布状态，未分布区域与所述外延层形成电流阻挡作用；

所述第二氧化铟锡层形成于第一氧化铟锡层上，其致密性优于所述第一氧化铟锡层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：采用电子束蒸镀方式制备第一氧化铟锡层，形成不完全连续的薄膜分布状态，其上分布具有孔洞结构。

11.根据权利要求10所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述电子束蒸镀的速率为0.5~1?/s，所形成的氧化铟锡层的厚度为10~100?。

12.根据权利要求10所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述孔洞直径50~100nm。

13.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第二氧化铟锡层通过下述方法形成：

采用第一离子束，在所述第一氧化铟锡层上溅镀第二氧化铟锡层的底部层；

采用第二离子束，在所述第二氧化铟锡层的底部层上溅镀第三氧化铟锡层的主体层；

所述第一离子束的能量小于第二离子束的能量。

14.根据权利要求13所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第一离子束的电流为50~60A，电压为45~50v，蒸镀速率为1~2?/s。

15.根据权利要求13所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第二离子束的电流为70~80A，电压为50~55v，蒸镀速率为2~6?/s。

16.根据权利要求13所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第二氧化铟锡层的底部层厚度为100~200?。

17.根据权利要求13所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第二氧化铟锡层的主体层厚度为600~1200?。