[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

芯片安装部分；

安装在所述芯片安装部分上的半导体芯片，所述半导体芯片具有主表面、与所述主表面相反的背表面、形成在所述主表面上的多个第一电极以及形成在所述主表面上的多个第二电极；

支撑所述芯片安装部分的多条悬挂引线；

在平面图中布置在所述芯片安装部分周围的多条公共引线；

在平面图中布置在所述芯片安装部分周围的多条引线；

分别将所述第一电极与所述引线耦合的多条第一导线；

将所述第二电极与所述公共引线电耦合的多条第二导线；以及

密封所述半导体芯片、所述芯片安装部分、所述第一导线和所述第二导线的密封体；

其中，在平面图中，所述公共引线布置在所述芯片安装部分和所述多个引线之间；

其中，每个公共引线布置在平面图中彼此相邻的悬挂引线之间并且与所述相邻的悬挂引线的每一个的第一部分相连；

其中，在平面图中，每个悬挂引线具有缝隙，该缝隙在所述悬挂引线的宽度方向中在所述悬挂引线的内部，所述缝隙形成在包括其所述第一部分的所述悬挂引线的第一区域中；并且

其中，所述缝隙包括形成在所述对应的悬挂引线和相邻公共引线的结合区域中的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述芯片安装部分、所述悬挂引线、所述公共引线和所述引线包含铜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述芯片安装部分的平面图中的维度比所述半导体芯片的对应维度小。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中将所述公共引线中的每一个形成为直的。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个悬挂引线具有在比所述第一部分更接近所述芯片安装部分的第二部分处形成的偏移部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述公共引线的第一公共引线与所述引线的第一引线相连。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述公共引线的第二公共引线不与所述引线相连；并且

其中所述第二公共引线具有偏移部分。

8.一种半导体器件，包括：

芯片安装部分；

安装在所述芯片安装部分上的半导体芯片，所述半导体芯片具有主表面、与所述主表面相反的背表面、形成在所述主表面上的多个第一电极以及形成在所述主表面上的多个第二电极；

支撑所述芯片安装部分的多条悬挂引线；

在平面图中布置在所述芯片安装部分周围的多条公共引线；

在平面图中布置在所述芯片安装部分周围的多条引线；

分别将所述第一电极与所述引线耦合的多条第一导线；

将所述第二电极与所述公共引线电耦合的多条第二导线；以及

密封所述半导体芯片、所述芯片安装部分、所述第一导线和所述第二导线的密封体；

其中，在平面图中，所述公共引线布置在所述芯片安装部分和所述多个引线之间；

其中，每个公共引线布置在平面图中彼此相邻的悬挂引线之间并且与所述相邻的悬挂引线的每一个的第一部分相连；

其中，在平面图中，每个悬挂引线具有缝隙，该缝隙在所述悬挂引线的宽度方向中在所述悬挂引线的内部，所述缝隙在所述悬挂引线的厚度方向中延伸通过所述悬挂引线并且形成在包括其所述第一部分的所述悬挂引线的第一区域中；并且

其中，所述缝隙包括形成在所述对应的悬挂引线和相邻公共引线的结合区域中的部分。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述芯片安装部分、所述悬挂引线、所述公共引线和所述引线包含铜。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述芯片安装部分的平面图中的维度比所述半导体芯片的对应维度小。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中将所述公共引线中的每一个形成为直的。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中每个悬挂引线具有在比所述第一部分更接近所述芯片安装部分的第二部分处形成的偏移部分。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述公共引线的第一公共引线与所述引线的第一引线相连。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述公共引线的第二公共引线不与所述引线相连；并且

其中所述第二公共引线具有偏移部分。