[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210203519.0 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103515292A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底表面形成介质层；
在所述介质层表面形成氮化硼层；
刻蚀所述氮化硼层和介质层，至露出衬底，形成开口；
对所述开口两侧的氮化硼层进行回刻，增大开口上方的宽度；
于所述开口内填充满金属层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层为低介电常数材料或超低介电常数材料。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层上形成氮化硼层之前，还包括：通过乙炔等离子体对所述介质层表面进行轰击，增加所述介质层表面的含碳量。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述乙炔等离子体的射频电源的功率为100～1000W，压强为1～7Torr，乙炔流量为150～2000sccm。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述开口两侧的氮化硼层进行回刻的方法为干法刻蚀法。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀法采用的刻蚀气体为氯气，射频电源的功率为100～1000W，压强为1～7Torr，氯气流量为50～2000sccm。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材质为铜。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述开口内填充满金属层之前，还包括：于所述开口的底部和侧壁形成阻挡层；于所述阻挡层上形成籽晶层。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为钽、氮化钽或钽与氮化钽的组合物。
10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述籽晶层的材质为铜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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