[发明专利]密封用片及光半导体元件装置无效
申请号: | 201210200117.5 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN102832326A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 松田广和;近藤隆;河野广希 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/56 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封 半导体 元件 装置 | ||
1.一种密封用片,其特征在于,
具备密封树脂层和层叠于所述密封树脂层的波长转换层,
所述波长转换层是层叠如下的两个层而成的:
由透光性树脂组合物形成、厚度为200μm~1,000μm的阻隔层;和
含有荧光体的荧光体层。
2.根据权利要求1所述的密封用片,其特征在于,所述透光性树脂组合物含有有机硅树脂。
3.根据权利要求1所述的密封用片,其特征在于,所述阻隔层的弹性模量为3MPa~500MPa。
4.根据权利要求1所述的密封用片,其特征在于,所述阻隔层层叠于所述密封树脂层。
5.根据权利要求1所述的密封用片,其特征在于,所述荧光体层层叠于所述密封树脂层。
6.一种光半导体元件装置,其特征在于,
具备光半导体元件和由密封用片形成的密封所述光半导体元件的密封层,
所述密封用片具备密封树脂层和层叠于所述密封树脂层的波长转换层,
所述波长转换层是层叠如下的两个层而成的:
由透光性树脂组合物形成、厚度为200μm~1,000μm的阻隔层;和
含有荧光体的荧光体层。
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