[发明专利]半导体元件、其制造方法、显示装置和电子装置

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

有机半导体层；

电极，其配置在所述有机半导体层上，以与所述有机半导体层接触；以及

布线层，其独立于所述电极而形成，并电连接至所述电极。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，

其中，所述半导体元件包括

所述有机半导体层，

栅电极，

一对源-漏电极，其作为所述电极，以及

所述布线层，并且

所述半导体元件形成为薄膜晶体管。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，还包括：

栅极绝缘膜，以及

保护膜，

其中，以所述栅电极、所述栅极绝缘膜、所述有机半导体层、所述源-漏电极、所述保护膜和所述布线层的顺序在衬底上层叠所述栅电极、所述栅极绝缘膜、所述有机半导体层、所述源-漏电极、所述保护膜和所述布线层。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，

其中，所述有机半导体层在所述保护膜的形成区域的外部具有凸出部分，所述凸出部分作为与所述源-漏电极重叠的区域。

5.根据权利要求3所述的半导体元件，

其中，所述保护膜具有凹进部分，所述凹进部分作为凹槽区，以及

所述有机半导体层与所述源-漏电极在所述凹槽区中彼此重叠。

6.根据权利要求3所述的半导体元件，

其中，所述有机半导体层和所述保护膜中的至少一个配置在所述栅电极与所述布线层之间的重叠区域中。

7.根据权利要求3所述的半导体元件，

其中，在将作为所述布线层的一对布线层彼此连接的区域中，所述有机半导体层的外部形状线配置在所述栅电极的外部形状线的内侧，所述一对布线层分别连接至所述一对源-漏电极。

8.根据权利要求2所述的半导体元件，

其中，所述一对源-漏电极包括对准偏移容纳区，所述对准偏移容纳区被形成为分别包括所述源-漏电极。

9.根据权利要求2所述的半导体元件，

其中，所述源-漏电极由金属、导电聚合物和碳中的一种形成。

10.一种显示装置，包括：

半导体元件；以及

显示层；

其中，所述半导体元件包括

有机半导体层；

电极，其配置在所述有机半导体层上，以与所述有机半导体层接触；以及

布线层，其独立于所述电极而形成，并电连接至所述电极。

11.一种电子装置，包括：

显示装置，其具有

半导体元件；以及

显示层；

其中，所述半导体元件包括

有机半导体层；

电极，其配置在所述有机半导体层上，以与所述有机半导体层接触；以及

布线层，其独立于所述电极而形成，并电连接至所述电极。

12.一种用于制造半导体元件的方法，该方法包括：

在衬底上形成有机半导体层；

在所述有机半导体层上形成电极，以使所述电极与所述有机半导体层接触；以及

在形成所述电极之后，形成电连接至所述电极的布线层。

13.根据权利要求12所述的用于制造半导体元件的方法，

其中，通过使用印刷工艺来形成所述电极，以及

通过使用真空成膜工艺和光刻技术来形成所述布线层。

14.根据权利要求13所述的用于制造半导体元件的方法，

其中，通过使用堤层，以自对准方式来形成所述电极。