[发明专利]一种对位标记及其制作方法有效

申请号：	201210190822.1	申请日：	2012-06-11
公开（公告）号：	CN103488063A	公开（公告）日：	2014-01-01
发明（设计）人：	郭梅寒;张新伟;周国平;夏长奉	申请（专利权）人：	无锡华润上华半导体有限公司
主分类号：	G03F9/00	分类号：	G03F9/00;H01L23/544;H01L21/02
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	常亮
地址：	214028 江苏省无***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种对位标记及其制作方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种对位标记，形成于一具有衬底取向的晶圆衬底上，其特征在于：所述对位标记包括第一V型槽和第二V型槽，该第一V型槽和第二V型槽的槽脊线互相垂直，所述该第一V型槽的两个第一槽面和所述第二V型槽的两个第二槽面具有同一晶面族的表面取向，且该表面取向不同于所述衬底取向，其中两个第一槽面所夹形成的槽脊线严格准直于衬底晶向。

2.如权利要求1所述的对位标记，其特征在于：所述衬底取向为（100）。

3.如权利要求2所述的对位标记，其特征在于：所述两个第一槽面和两个第二槽面的表面取向为{111}面。

4.如权利要求1所述的对位标记，其特征在于：所述第一V型槽的槽脊线和第二V型槽的槽脊线直线相交，形成十字形。

5.如权利要求1所述的对位标记，其特征在于：第一V型槽的槽脊线和第二V型槽的槽脊线形成错位相交。

6.一种如权利要求1至5任意一项所述的对位标记的制作方法，其特征在于：该方法包括步骤：

提供一具有衬底取向的晶圆衬底，在该衬底上制作一层掩模层；

在所述掩模层上刻蚀出对位标记的表面图形，在所述对位标记的表面图形所对应的区域暴露出衬底；

对所述掩模层暴露出来的衬底区域进行一各向异性刻蚀步骤，依据掩模层上的对位标记表面图形，在衬底上得到对位标记。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述掩模层包括光致抗蚀剂、介电材料、介电材料的叠层、介电和半导体材料的叠层，或介电材料和光致抗蚀剂的叠层。

8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述掩模层上的对位标记的表面图形为中空十字形。

9.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述各向异性刻蚀为湿法刻蚀工艺或反应离子刻蚀工艺。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于：所述湿法刻蚀工艺中的刻蚀液为氢氧化钾溶液或四甲基安羟化物溶液。