[发明专利]金属互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 201210184977.4 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103474389A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;胡敏达;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 制作方法 | ||
1.一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有目标电连接区域；
在所述半导体衬底上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影后至少保留目标电连接区域上的光刻胶；
在所述半导体衬底及保留的光刻胶上沉积低温氧化物层；
在所述低温氧化物层上形成第一介电层，所述第一介电层的高度大于所述保留的光刻胶与低温氧化物层的高度之和；
去除部分高度的所述第一介电层及所述保留的光刻胶上的低温氧化物层至所述第一介电层的剩余高度与保留的光刻胶齐平；
去除所述保留的光刻胶，以在所述第一介电层内形成沟槽；
在所述沟槽内填入导电材质并去除所述沟槽外的多余导电材质以形成金属互连结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述目标电连接区域为与晶体管的源极、栅极或漏极电直接连接的导电插塞。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述目标电连接区域为前层的导电插塞。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成光刻胶前，还在所述半导体衬底上形成底部抗反射层。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所提供的半导体衬底上还形成有刻蚀终止层；在所述半导体衬底上形成底部抗反射层前，还对所述目标电连接区域上的刻蚀终止层进行去除。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀终止层的材质为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述低温氧化物层是采用原子层沉积法形成。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除部分高度的所述第一介电层采用干法刻蚀。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介电层的材质的介电常数k范围为2.0<k<4.0。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，去除所述保留的光刻胶的方法为湿法去除，采用的液体为PGME或PGMEA，或这两种有机液的混合液。
11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介电层的材质的介电常数k范围为2.7<k<4.0，去除所述保留的光刻胶的方法为干法刻蚀，采用气体为氧基等离子体。
12.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述沟槽内填入的导电材质为铜、铝、钨、银、金中的中的一种或者组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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