[发明专利]处理基材的设备和方法有效
申请号: | 201210175153.0 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102810499A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 金炯俊 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;武玉琴 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 基材 设备 方法 | ||
1.一种处理基材的设备,所述设备包括:
装载口,其上放置用于收容所述基材的容器;
用于处理所述基材的处理模块;和
转移模块,包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手,
其中所述处理模块包括:
转移室,包括用于转移所述基材的机械手;
设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室;
用于进行第一处理工艺的第一处理室,它与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围;和
用于进行第二处理工艺的第二处理室,它设置在所述转移室周围。
2.如权利要求1所述的设备,其中第二处理室设置在所述转移室和所述转移模块之间。
3.如权利要求2所述的设备,其中第二处理室包括:
壳体,具有在面对所述转移室的侧面中的第一开口和在面对所述转移模块的侧面中的第二开口;
用于打开或关闭第一开口的第一门;
用于打开或关闭第二开口的第二门;
用于使所述壳体的内部减压的减压件;
设置在所述壳体内以支撑所述基材的支撑件;和
用于加热放置在所述支撑件上的基材的加热件。
4.如权利要求2所述的设备,其中第二处理室包括:
壳体,具有面对所述转移室的侧面和另一挡住侧,在所述侧面中限定有第一开口;
用于打开或关闭第一开口的第一门;
设置在所述壳体内以支撑所述基材的支撑件;和
用于加热放置在所述支撑件上的基材的加热件。
5.如权利要求3或4所述的设备,其中第二处理室包括:
用于产生等离子体的等离子体源;和
用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中的供应管。
6.如权利要求2所述的设备,其中所述装载锁闭室包括:
用于提供缓冲空间的壳体,所述壳体具有在面对所述转移室的侧面中的第一开口和在面对所述转移模块的侧面中的第二开口;
用于打开或关闭第一开口的第一门;
用于打开或关闭第二开口的第二门;和
用于支撑所述基材以使所述基材设置在所述缓冲空间中的至少一个狭槽。
7.如权利要求2所述的设备,其中所述装载锁闭室和第二处理室彼此叠置。
8.如权利要求7所述的设备,其中第二处理室设置在所述装载锁闭室下方。
9.如权利要求2所述的设备,其中第二处理室包括:
壳体,它设置在所述装载锁闭室下方;
等离子体源,它设置在所述装载锁闭室上方,用于产生等离子体;和
供应管,它设置在所述装载锁闭室的外壁上,用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中。
10.如权利要求2所述的设备,其中所述处理模块包括多个第二处理室。
11.如权利要求10所述的设备,其中所述多个第二处理室中的每一个包括:
壳体;
用于产生等离子体的等离子体源;和
用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中的供应管。
12.如权利要求10所述的设备,其中所述处理模块包括:
用于产生等离子体的等离子体源;和
用于将所产生的等离子体供应到多个第二处理室中的每一个的壳体中的供应管,
其中所述供应管与所述等离子体源连接并分支到所述多个第二处理室中,阀门设置在每个分支的供应管中。
13.如权利要求10所述的设备,其中所述多个第二处理室彼此叠置。
14.如权利要求10所述的设备,其中所述多个第二处理室在横向上平行设置。
15.如权利要求1所述的设备,其中第二处理室与第一处理室叠置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造