[发明专利]半导体盲孔的检测方法有效
| 申请号： | 201210174260.1 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456656A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 方法 | ||
1.一种半导体盲孔的检测方法，其特征在于，包括：
提供一包括导电区的半导体基底；
形成多个暴露出所述导电区的盲孔，其特征在于电阻率大于所述导电区的高电阻层会位在至少一所述盲孔的部分或全部底部区域，且所述高电阻层和所述导电区的接触面不是欧姆接触;
将导电材料填满所述多个盲孔;
进行一热处理工艺，使所述导电材料和所述半导体基底间形成欧姆接触；及
利用带电射线照射填满有所述导电材料的所述多个盲孔。
2.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，在进行所述热处理工艺前，所述导电材料和所述半导体基底的接触面是肖特基接触。
3.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述欧姆接触的组成包括金属硅化物。
4.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，在利用所述带电射线照射填满有所述导电材料的所述多个盲孔后，还包括下列步骤之一：
检测所述各个盲孔产生的二次电子强度；及
检测所述各个盲孔的电位。
5.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述高电阻层是一晶格缺陷区域。
6.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述高电阻层的组成包括半导体材料或高分子材料。
7.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述导电材料的电阻率小于所述导电区的电阻率。
8.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述带电射线包含电子束或离子束。
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