[发明专利]SONOS栅极结构及其制备方法、以及半导体器件有效
| 申请号： | 201210170390.8 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102683398A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 田志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/792;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sonos 栅极 结构 及其 制备 方法 以及 半导体器件 | ||
1.一种SONOS栅极结构，其特征在于包括：布置在衬底上的第一隧穿氧化层、布置在所述第一隧穿氧化层上的电荷存储氮化硅层、布置在所述电荷存储氮化硅层上的第二氧化硅层、布置在所述第二氧化硅层上的Si/N含量渐变的渐变薄氮化硅层、布置在所述渐变薄氮化硅层上的第三氧化硅层、以及布置在所述第三氧化硅层上的多晶硅控制栅层。
2.根据权利要求1所述的SONOS栅极结构，其特征在于，渐变薄氮化硅层TN中氮化硅的Si/N比例是逐渐增加的，其中越靠近第二氧化硅层，氮化硅的氮含量越高，并且越靠近第三氧化硅层，氮化硅的硅含量越高。
3.根据权利要求1或2所述的SONOS栅极结构，其特征在于，在第二氧化硅层中，SiH2Cl2与NH3的比例在从第二氧化硅层到邻近第三氧化硅层的方向上从0.1渐变到2.07。
4.根据权利要求1或2所述的SONOS栅极结构，其特征在于，所述衬底是P型衬底。
5.根据权利要求1或2所述的SONOS栅极结构，其特征在于，所述电荷存储氮化硅层用于存储电荷。
6.一种SONOS栅极结构制备方法，其特征在于包括：
在衬底上布置第一隧穿氧化层
在所述第一隧穿氧化层上布置电荷存储氮化硅层；
在所述电荷存储氮化硅层上布置第二氧化硅层；
在所述第二氧化硅层上布置Si/N含量渐变的渐变薄氮化硅层；
在所述渐变薄氮化硅层上布置第三氧化硅层；以及
在所述第三氧化硅层上布置多晶硅控制栅层。
7.根据权利要求6所述的SONOS栅极结构制备方法，其特征在于，渐变薄氮化硅层T N中氮化硅的Si/N比例是逐渐增加的，其中越靠近第二氧化硅层，氮化硅的氮含量越高，并且越靠近第三氧化硅层，氮化硅的硅含量越高。
8.根据权利要求6或7所述的SONOS栅极结构制备方法，其特征在于，在第二氧化硅层中，SiH2Cl2与NH3的比例在从第二氧化硅层到邻近第三氧化硅层的方向上从0.1渐变到2.07。
9.根据权利要求6或7所述的SO NOS栅极结构制备方法，其特征在于，所述电荷存储氮化硅层用于存储电荷。
10.一种采用了根据权利要求1至5之一所述的SONOS栅极结构的半导体器件。
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