[发明专利]衬底处理设备、控制该设备的程序及制造半导体器件的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于分别于2011年4月11日以及2012年1月19日提交的日本专利申请No.2011-87401和No.2012-8958，并要求这些日本专利申请的优先权权益，在此通过参考并入这些申请的全部内容。

技术领域

本公开涉及一种用于处理如晶片等衬底的衬底处理设备、用于控制该衬底处理设备的程序以及用于制造半导体器件的方法，其中，在半导体衬底(例如半导体晶片)上执行薄膜形成工艺等以在其上制造半导体集成电路(此后称为“IC”)。更特别地，本公开涉及一种具有容纳多个衬底的多个衬底容器的衬底处理设备、用于控制该衬底处理设备的程序以及用于制造半导体器件的方法，其中，将第一衬底容器内的衬底连续地单独运送(或载运)至处理腔以便进行处理，并且随后，当第一衬底容器内的衬底的处理完成时，将第二衬底容器内的衬底连续地单独运送至处理腔。

背景技术

在相关技术中，多个衬底容器被安装在衬底处理设备的装载端口上；多个安装的衬底容器中的例如第一衬底容器的盖子被开启，以便用于核查容纳在其中的晶片的存在或不存在或者晶片的位置；执行晶片映射以便对晶片的片数进行计数；以及在第一衬底容器中的晶片(衬底)被连续地单独运送至处理腔并被处理。在对第一衬底容器执行晶片映射以后，第二衬底容器的盖子被开启，并且对第二衬底容器执行晶片映射。在对第二衬底容器的晶片映射结束以后，第二衬底容器在其盖子被开启的情况下被保持在待命状态；此后，在对第一衬底容器中的所有衬底的处理结束以后，对第二衬底容器中的衬底的处理开始。在相关技术中，还公知一种衬底处理设备，其用于连续地运出来自安装在装载端口上的多个衬底容器中的衬底，运送该衬底容器至处理腔中，并在该处理腔中对其进行处理。

在相关技术的衬底处理设备中，多个衬底容器的盖子(例如，第一衬底容器的盖子)被开启，执行晶片映射，然后第一衬底容器中的衬底开始被处理，并且同时，第二衬底容器的盖子被开启且执行晶片映射。然而，在这种情况下，即使在用于第二衬底容器的晶片映射结束之后，保持在待命状态的第二衬底容器的盖子仍然维持在开启的状态。因此，在待命状态的第二衬底容器中的晶片暴露在衬底处理设备内的气氛中，从而提供了其中颗粒可以附着到晶片表面的可能性。

发明内容

本公开提供了若干实施例，其中衬底容器的盖子被开启，执行诸如晶片映射等的处理，保持在待命状态的衬底容器的盖子被关闭，且当衬底容器中的衬底的处理开始时，衬底容器的盖子再次被开启。根据本公开的一个实施例，其提供了一种衬底处理设备，包括：安装架，在该安装架上保持其中容纳多个衬底的衬底容器；盖子开启和关闭单元，其被配置用于开启和关闭安装在安装架上的衬底容器的盖子；衬底核查单元，其被配置用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或者衬底的位置；衬底传送机构，其被配置用于将衬底容器中的衬底传送到处理腔；衬底处理单元，其被配置用于在已由衬底传送机构传送的、处理腔中的衬底上进行处理；以及控制器，其被配置用于控制盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底处理单元以及衬底传送机构的操作，其中衬底容器包括第一衬底容器和第二衬底容器，并且，在衬底处理单元处理由衬底传送机构从第一衬底容器传送到处理腔的衬底的同时，当第二衬底容器被安装在安装架上时，控制器提供控制以开启第二衬底容器的盖子并通过衬底核查单元来核查第二衬底容器中的衬底，并且当衬底核查结束时，控制器提供控制以关闭第二衬底容器的盖子。

附图说明

图1是根据本公开的一个实施例的衬底处理装置的平面视图。

图2是衬底处理装置的侧视图。

图3是示出了用于控制衬底处理装置的控制器的配置的方框图。

图4是衬底处理装置的处理单元的侧视图。

图5是图示了开启和关闭衬底处理装置的衬底容器的盖子的操作的流程图。

图6是图示了用于当已经执行了预定的先前处理时执行图5的盖子开启和关闭操作的配置例子中的控制器的操作的流程图。

具体实施方式

现在将参考附图在下文详细说明本公开的示例性实施例。

参照图1和图2说明根据本发明实施例的衬底处理装置10。图1是衬底处理装置10的平面视图，而图2是衬底处理装置10的侧视图。