[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

说明书

本申请要求于2011年5月23日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0048368号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光装置及其制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)是这样一种半导体装置，即，当向这种半导体装置施加电流时，由于在p型半导体和n型半导体之间的p-n结处发生电子-空穴复合，所以该半导体装置能够发射各种颜色的光。这种LED相对于基于灯丝的发光装置的优点在于其具有长的寿命、低的功耗、优异的初始操作特性等。这些因素使对LED的需求不断增加。尤其是近来，能够在蓝光/短波长区域内发光的III族氮化物半导体已经受到大量关注。

由于对氮化物半导体装置的开发，所以已经做出了技术进步来扩大其应用范围。因此，正在进行大量研究来确定如何将氮化物半导体装置用在普通的照明设备和电照明源中。按照现有技术，已经将氮化物发光装置用作在低电流、低输出移动产品中采用的部件。然而，近来，氮化物发光装置的应用范围已经扩大到包括高电流、高输出产品的领域。

同时，与外部空气、包封材料或基底相比，构成LED的半导体层具有高的折射率，从而使确定入射角范围(以该入射角范围，光可以发射出去)的临界角减小。结果，从活性层产生的大量的光被全内反射而沿着实质上不期望的方向发射或者在全内反射过程中损耗，由此会降低光提取效率。因此，需要一种增加沿期望的方向发射的光的量并且改善实质亮度的方法。

发明内容

本发明的一方面提供了一种在生长基底的后表面上包括反射器结构的半导体发光装置，该反射器结构具有优异的光反射特性和散热特性。

本发明的一方面还提供了一种以有效的方式制造上述半导体发光装置的方法。

根据本发明的一方面，提供了一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：透光基底，具有面向彼此的第一主表面和第二主表面，第二主表面上形成有不平坦部分；发光部分，设置在第一主表面上，并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；第一电极和第二电极，第一电极电连接到第一导电类型半导体层，第二电极电连接到第二导电类型半导体层；后反射部分，包括设置在第二主表面上的反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。

透光介电层可以包括具有不同折射率且交替堆叠的多个介电层。这里，多个介电层可以具有分布式布拉格反射器(DBR)结构。

透光介电层和反射金属层可以具有全方位反射器(ODR)结构。

透光基底可以包括形成在透光基底的第一主表面上的不平坦部分。

反射金属层可以由选自于由铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、铑(Rh)、钯(Pd)、铱(Ir)、钌(Ru)、镁(Mg)、锌(Zn)、铂(Pt)和金(Au)组成的组中的材料形成。

半导体发光装置还可以包括平坦化层，当透光介电层和反射金属层的表面因与形成在透光基底上的不平坦部分的曲面共形而不平坦地形成时，平坦化层填充反射金属层的不平坦表面。

平坦化层可以由旋涂玻璃(SOG)形成。

透光介电层可以由导热率高于透光基底的导热率的材料形成。

根据本发明的另一方面，提供了一种发光设备，所述发光设备包括：安装基底；半导体发光装置，安装在安装基底上，并且当向半导体发光装置施加电信号时，半导体发光装置发光；粘合层，置于安装基底和半导体发光装置之间，其中，半导体发光装置包括透光基底、发光部分、第一电极和第二电极以及后反射部分，透光基底具有面向彼此的第一主表面和第二主表面，第二主表面上形成有不平坦部分，发光部分设置在第一主表面上，并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层，第一电极和第二电极分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，后反射部分包括设置在第二主表面上的反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。

安装基底可以为电路板。可选择地，安装基底可以为引线框架。

粘合层可以由共晶合金和聚合物中的至少一种形成。