[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底，位于所述半导体衬底内的第一阱区，以及与所述第一阱区隔离的第二阱区，且所述第一阱区和第二阱区均为第一导电类型；位于所述第一阱区表面的第一栅介质层；位于所述第一栅介质层表面的第一栅极；位于所述第一栅介质层和第一栅极两侧的第一阱区内的第一源/漏区，且所述第一源/漏区为第二导电类型；位于所述第二阱区表面的第二栅介质层；位于所述第二栅介质层表面的第二栅极；位于所述第二栅介质层和第二栅极两侧的第二阱区内的第二源/漏区，且所述第二源/漏区为第二导电类型；位于所述第一栅极与第二栅极之间的栅极连接层，所述栅极连接层使第一栅极与第二栅极电性连接，且所述栅极连接层通过第一绝缘层与半导体衬底表面电性隔离；位于所述第一栅极表面的层间介质层；位于所述层间介质层表面的金属层；位于所述第一阱区表面的第一导电插塞使所述金属层与第一阱区电性连接。

2.如权利要求1所述存储器，其特征在于，所述层间介质层的材料为氮化硅或高K材料。

3.如权利要求1所述存储器，其特征在于，所述层间介质层的电学厚度为300~500埃。

4.如权利要求1所述存储器，其特征在于，所述金属层的材料为铜、钨或铝。

5.如权利要求1所述存储器，其特征在于，所述金属层的厚度为1000~4000埃。

6.如权利要求1所述存储器，其特征在于，所述第一栅极、第二栅极和栅极连接层的材料为多晶硅。

7.如权利要求1所述存储器，其特征在于，位于所述第一栅极、第二栅极和栅极连接层内的自对准硅化物层，且所述自对准硅化物层的表面与第一栅极、第二栅极和栅极连接层的表面齐平。

8.如权利要求7所述存储器，其特征在于，所述自对准硅化物层的材料为钴化硅。

9.如权利要求1所述存储器，其特征在于，所述第一栅极与第一栅介质层的接触面积大于第二栅极与第二栅介质层的接触面积。

10.如权利要求1所述存储器，其特征在于，所述第一栅介质层、第二栅介质层的材料和第一绝缘层的材料为氧化硅。

11.如权利要求1所述存储器，其特征在于，覆盖所述第一栅介质层、第一栅极、第二栅介质层、第二栅极、栅极连接层、层间介质层、金属层、第一导电插塞以及半导体衬底表面的第二绝缘层。

12.如权利要求11所述存储器，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为氧化硅。

13.如权利要求1所述存储器，其特征在于，位于所述半导体衬底内的浮置阱区，第一阱区和第二阱区位于所述浮置阱区内，且所述浮置阱区为第二导电类型。

14.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成第一阱区，以及与所述第一阱区隔离的第二阱区，且所述第一阱区和第二阱区均为第一导电类型；

在所述第一阱区表面形成第一栅介质层；

在所述第二阱区表面形成第二栅介质层；

在所述第一栅介质层和第二栅介质层之间的半导体衬底表面形成第一绝缘层；

在所述第一栅介质层表面形成第一栅极；

在所述第二栅介质层表面形成第二栅极；

在所述第一绝缘层表面形成栅极连接层，使所述第一栅极与第二栅极电性连接，且所述第一绝缘层使所述栅极连接层与半导体衬底电性隔离；

在所述第一栅介质层和第一栅极两侧形成第一阱区内的第一源/漏区，且所述第一源/漏区为第二导电类型；

在所述第二栅介质层和第二栅极两侧的第二阱区内形成第二源/漏区，且所述第二源/漏区为第二导电类型；

在所述第一栅极表面形成层间介质层；

在所述层间介质层表面形成金属层；

在所述第一栅介质层、第一栅极、第二栅介质层、第二栅极、栅极连接层、层间介质层、金属层以及半导体衬底表面形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层内形成第一导电插塞，使所述金属层通过第一导电插塞与第一阱区电性连接。

15.如权利要求14所述存储器的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氮化硅或高K材料。

16.如权利要求14所述存储器的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的电学厚度为300~500埃。