[发明专利]发光半导体元件及其制作方法以及光源模块有效

专利信息
申请号: 201210161559.3 申请日: 2012-05-23
公开(公告)号: CN103427005A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 林立凡;薛清全;廖文甲;陈世鹏 申请(专利权)人: 台达电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;吕俊清
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 半导体 元件 及其 制作方法 以及 光源 模块
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种发光半导体元件,尤指一种发光二极管元件。

背景技术

配合参阅图1,为现有发光半导体元件的剖视图。

发光半导体元件包含一第一导线支架800、一晶粒承载支架802、一第二导线支架804、一发光二极管晶粒806、一绝缘体808、多条导线810及一透光胶体814。绝缘体808是使用不透光胶材,如:聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide,PPA)等制作而成,用以固定第一导线支架800、晶粒承载支架802及第二导线支架804,并形成一大致呈杯状的固晶区812,晶粒承载支架802露出于固晶区812;其中绝缘体808是利用射出成型方式形成于第一导线支架800、晶粒承载支架802及第二导线支架804外围。

发光二极管晶粒806设置于晶粒承载支架802上,发光二极管晶粒806通过导线(例如焊线)810电连接至第一导线支架800及第二导线支架804。透光胶体814置于固晶区812内用以覆盖发光二极管晶粒806及保护导线810。

由上所述,第一导线支架800、晶粒承载支架802、第二承载支架804、绝缘体808及透光胶体814配合气密地包覆发光二极管晶粒806。然而,绝缘体808本身的热阻大,使得制得的发光半导体元件的导热效果差;其次,绝缘体808的体积成为发光半导体元件的体积无法有效地缩小的主因,并提高制作成本;再者,制作绝缘体808所使用的胶体随着使用时间的增加而老化,并产生可靠度问题。

发明内容

本发明的目的在于有效地缩小发光半导体元件的体积、提升散热效果及降低制作成本。

本发明提供一种发光半导体元件。该发光半导体元件包含至少两导电单元、至少一发光半导体晶粒及一光穿透层,两导电单元之间具有一开槽,该发光半导体晶粒跨接于所述多个导电单元,该光穿透层包覆该发光半导体晶粒并至少部分填充于该开槽中以结合两导电单元。

本发明提供一种发光半导体元件,该发光半导体元件包含至少两导电单元、至少一发光半导体晶粒及至少一导线,两导电单元之间具有一开槽,该发光半导体晶粒设置于其中的一导电单元,该导线跨接于该发光半导体晶粒及另外的导电单元中的一个之间,该光穿透层包覆该发光半导体晶粒、所述多个导线并至少部分填充于该开槽中以结合所述多个导电单元。

本发明提供一种光源模块,包含:一基板;以及至少一个上述的发光半导体元件,该发光半导体元件设置于该基板的一侧,并电连接于该基板。

本发明更提供一种发光半导体元件的制作方法,包含下列步骤:a)于一第一导电层形成至少一开槽;b)设置至少一发光半导体晶粒于该第一导电层,该开槽露出至少部分该发光半导体晶粒;c)形成一光穿透层,该光穿透层与该第一导电层配合包覆该发光半导体晶粒。

利用本发明的制作方法所完成的发光半导体元件的导光单元与光穿透层配合密封发光半导体晶粒,可以有效地缩减发光半导体元件的面积并可提升发光半导体元件的绝缘效果。

附图说明

图1为现有发光半导体元件的剖视图。

图2A-图2J为本发明第一实施例的发光半导体元件的制作方法的制作流程示意图。

图3A-图3Z为本发明第二实施例的发光半导体元件的制作方法的制作流程示意图。

图4A为本发明第一实施例的光源模块的剖视图。

图4B为本发明第二实施例的光源模块的剖视图。

图4C为本发明第三实施例的光源模块的剖视图。

图5为本发明第一实施例的照明装置的剖视图。

图6A为本发明第四实施例的光源模块的剖视图。

图6B为本发明第五实施例的光源模块的剖视图。

其中,附图标记说明如下:

10、20第一导电层

100、200开槽

102、206上表面

11、21导电单元

12、30发光半导体晶粒

13导线

120、300基板

122、302N型氮化镓

124、304多量子井层

126、306P型氮化镓层

128a、128b、308a、308b连接垫

130、310半导体层

14、34光穿透层

202第二导电层

204中介层

206上表面

208下表面

22遮蔽层

24绝缘层

26暂时基板

28黏着件

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