[发明专利]供体基板及其制造方法和制造有机发光显示设备的方法在审
| 申请号: | 201210158894.8 | 申请日: | 2012-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN102856327A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
| 发明(设计)人: | 辛慧媛;金相洙;朴商勋;孙永睦;金英一 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 供体 及其 制造 方法 有机 发光 显示 设备 | ||
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2011年6月29日提交的韩国专利申请No.2011-0063556的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容特此通过引用全部合并于此。
技术领域
本发明的示例实施例涉及供体基板、制造供体基板的方法和使用供体基板制造有机发光显示设备的方法。
背景技术
一般来说,有机发光显示设备可以包括薄膜晶体管、像素电极、有机层和公共电极等。有机层可以包括发射白色光、红色光、绿色光和蓝色光中至少一种的有机发光层。有机层另外可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。
在形成相对照的有机发光显示设备的有机发光层的过程中,可以在供体基板上形成红色有机转移层、绿色有机转移层和蓝色有机转移层,然后可以使用激光束将这些有机转移层转移到像素电极上,从而在相对照的发光显示设备的像素的像素电极上形成有机发光层。在此情况下,经常会因为静电的原因而造成有机发光层的污染,并且很可能发生相对照的有机发光显示设备中的邻近像素的颜色混合。
发明内容
示例实施例的方面致力于可容易地重新使用且能够有效地转移微尺寸的有机转移层的供体基板。
示例实施例的方面致力于制造可容易地重新使用且能够有效地转移微尺寸的有机转移层的供体基板的方法。
示例实施例的方面致力于使用可容易地重新使用且能够有效地转移微尺寸的有机转移层的供体基板制造有机发光显示设备的方法。
本发明的示例实施例的方面致力于具有凹槽结构的供体基板、制造具有凹槽结构的供体基板的方法以及使用具有凹槽结构的供体基板制造有机发光显示设备的方法。
根据示例实施例,提供一种包括基板、光热转换层和有机转移层的供体基板。所述基板可以具有凹槽和与所述凹槽相邻的隔离结构。所述光热转换层可以布置在所述凹槽内。所述有机转移层可以布置在所述光热转换层上。
在示例实施例中,所述供体基板可以进一步包括布置在所述凹槽的底表面和所述光热转换层之间的底层。
在示例实施例中,所述底层可以包括硅、丙烯酰基树脂、聚酰亚胺类树脂、硅氧烷类树脂、苯并环丁烯、硅氧化物和/或金属氧化物。
在示例实施例中,所述底层可以包括涂层和热辐射层。
在示例实施例中,所述基板可以包括对激光束透明的材料。
在示例实施例中,所述光热转换层可以包括金属、金属氧化物、金属硫化物和/或炭黑。
在示例实施例中,所述光热转换层可以包括镍、钼、钛、锆、铜、钒、钽、钯、钌、铱、金、银和铂,镍、钼、钛、锆、铜、钒、钽、钯、钌、铱、金、银和铂的氧化物,和/或镍、钼、钛、锆、铜、钒、钽、钯、钌、铱、金、银和铂的硫化物。
在示例实施例中,所述有机转移层可以包括红色有机转移层、绿色有机转移层或蓝色有机转移层。
根据示例实施例,提供一种供体基板,其包括基板、第一光热转换层、第二光热转换层、第三光热转换层、红色有机转移层、绿色有机转移层和蓝色有机转移层。所述基板可以具有第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽和隔离结构。所述隔离结构可以由所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽限定。所述第一光热转换层、所述第二光热转换层和所述第三光热转换层可以分别布置在所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽内。所述红色有机转移层可以布置在所述第一光热转换层上。所述绿色有机转移层可以布置在所述第二光热转换层上。所述蓝色有机转移层可以布置在所述第三光热转换层上。
在示例实施例中,所述供体基板可以进一步包括分别布置在所述第一凹槽的底表面和所述第一光热转换层之间、所述第二凹槽的底表面和所述第二光热转换层之间以及所述第三凹槽的底表面和所述第三光热转换层之间的第一底层、第二底层和第三底层。
在示例实施例中,所述第一底层、所述第二底层和所述第三底层可以包括硅、丙烯酰基类树脂、聚酰亚胺类树脂、硅氧烷类树脂、苯并环丁烯、硅氧化物和/或金属氧化物。
在示例实施例中,所述第一底层、所述第二底层和所述第三底层分别可以包括涂层和热辐射层。
根据示例实施例,提供一种制造供体基板的方法。在所述方法中,可以在基板上形成凹槽和隔离结构。所述隔离结构可以由所述凹槽限定。可以在所述凹槽上形成底层。可以在所述底层上形成光热转换层。可以在所述光热转换层上形成有机转移层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





