[发明专利]供体基板及其制造方法和制造有机发光显示设备的方法在审

专利信息
申请号: 201210158894.8 申请日: 2012-05-21
公开(公告)号: CN102856327A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 辛慧媛;金相洙;朴商勋;孙永睦;金英一 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 罗正云;宋志强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 供体 及其 制造 方法 有机 发光 显示 设备
【权利要求书】:

1.一种供体基板,包括:

基板,具有凹槽和与所述凹槽相邻的隔离结构;

位于所述凹槽内的光热转换层;和

位于所述光热转换层上的有机转移层。

2.根据权利要求1所述的供体基板,进一步包括位于所述凹槽的底面和所述光热转换层之间的底层。

3.根据权利要求2所述的供体基板,其中所述底层包括从由硅、丙烯酰基类树脂、聚酰亚胺类树脂、硅氧烷类树脂、苯并环丁烯、硅氧化物和金属氧化物组成的组中选择的至少一种。

4.根据权利要求2所述的供体基板,其中所述底层包括涂层和热辐射层。

5.根据权利要求1所述的供体基板,其中所述基板包括对于激光束具有透射性的材料。

6.根据权利要求1所述的供体基板,其中所述光热转换层包括从由金属、金属氧化物、金属硫化物和炭黑组成的组中选择的至少一种。

7.根据权利要求6所述的供体基板,其中所述光热转换层包括从由下列各项组成的组中选择的至少一种:镍、钼、钛、锆、铜、钒、钽、钯、钌、铱、金、银和铂,镍、钼、钛、锆、铜、钒、钽、钯、钌、铱、金、银和铂的氧化物,以及镍、钼、钛、锆、铜、钒、钽、钯、钌、铱、金、银和铂的硫化物。

8.根据权利要求1所述的供体基板,其中所述有机转移层包括红色有机转移层、绿色有机转移层或蓝色有机转移层。

9.一种供体基板,包括:

基板,具有第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽以及由所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽限定的隔离结构;

分别位于所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽内的第一光热转换层、第二光热转换层和第三光热转换层;

位于所述第一光热转换层上的红色有机转移层;

位于所述第二光热转换层上的绿色有机转移层;和

位于所述第三光热转换层上的蓝色有机转移层。

10.根据权利要求9所述的供体基板,进一步包括:

位于所述第一凹槽的底面和所述第一光热转换层之间的第一底层;

位于所述第二凹槽的底面和所述第二光热转换层之间的第二底层;以及

位于所述第三凹槽的底面和所述第三光热转换层之间的第三底层。

11.根据权利要求10所述的供体基板,其中所述第一底层、所述第二底层和所述第三底层中的每一个包括从由硅、丙烯酰基类树脂、聚酰亚胺类树脂、硅氧烷类树脂、苯并环丁烯、硅氧化物和金属氧化物组成的组中选择的至少一种。

12.根据权利要求10所述的供体基板,其中所述第一底层、所述第二底层和所述第三底层中的每一个包括涂层和热辐射层。

13.一种制造供体基板的方法,所述方法包括:

在基板上形成凹槽和隔离结构,所述隔离结构由所述凹槽限定;

在所述凹槽上形成底层;

在所述底层上形成光热转换层;以及

在所述光热转换层上形成有机转移层。

14.根据权利要求13所述的制造供体基板的方法,其中,所述凹槽和所述隔离结构的形成包括:

在所述基板上形成掩膜;以及

使用所述掩膜部分地去除所述基板,以形成所述凹槽和所述隔离结构。

15.根据权利要求13所述的制造供体基板的方法,其中所述凹槽和所述隔离结构的形成包括喷砂工艺、干式蚀刻工艺或湿式蚀刻工艺。

16.根据权利要求13所述的制造供体基板的方法,其中所述底层的形成包括:喷嘴印刷工艺、喷墨印刷工艺、刮墨刀印刷工艺、胶版印刷工艺或生片层压工艺。

17.根据权利要求13所述的制造供体基板的方法,其中所述光热转换层的形成包括:喷嘴印刷工艺、喷墨印刷工艺、刮墨刀印刷工艺、胶版印刷工艺、凹版印刷工艺、凹版胶印工艺或狭缝印刷工艺。

18.根据权利要求13所述的制造供体基板的方法,其中所述光热转换层的形成包括:生片层压工艺、层压工艺或转移工艺。

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