[发明专利]供体基板及其制造方法和制造有机发光显示设备的方法在审
| 申请号: | 201210158894.8 | 申请日: | 2012-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN102856327A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
| 发明(设计)人: | 辛慧媛;金相洙;朴商勋;孙永睦;金英一 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 供体 及其 制造 方法 有机 发光 显示 设备 | ||
1.一种供体基板,包括:
基板,具有凹槽和与所述凹槽相邻的隔离结构;
位于所述凹槽内的光热转换层;和
位于所述光热转换层上的有机转移层。
2.根据权利要求1所述的供体基板,进一步包括位于所述凹槽的底面和所述光热转换层之间的底层。
3.根据权利要求2所述的供体基板,其中所述底层包括从由硅、丙烯酰基类树脂、聚酰亚胺类树脂、硅氧烷类树脂、苯并环丁烯、硅氧化物和金属氧化物组成的组中选择的至少一种。
4.根据权利要求2所述的供体基板,其中所述底层包括涂层和热辐射层。
5.根据权利要求1所述的供体基板,其中所述基板包括对于激光束具有透射性的材料。
6.根据权利要求1所述的供体基板,其中所述光热转换层包括从由金属、金属氧化物、金属硫化物和炭黑组成的组中选择的至少一种。
7.根据权利要求6所述的供体基板,其中所述光热转换层包括从由下列各项组成的组中选择的至少一种:镍、钼、钛、锆、铜、钒、钽、钯、钌、铱、金、银和铂,镍、钼、钛、锆、铜、钒、钽、钯、钌、铱、金、银和铂的氧化物,以及镍、钼、钛、锆、铜、钒、钽、钯、钌、铱、金、银和铂的硫化物。
8.根据权利要求1所述的供体基板,其中所述有机转移层包括红色有机转移层、绿色有机转移层或蓝色有机转移层。
9.一种供体基板,包括:
基板,具有第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽以及由所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽限定的隔离结构;
分别位于所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽内的第一光热转换层、第二光热转换层和第三光热转换层;
位于所述第一光热转换层上的红色有机转移层;
位于所述第二光热转换层上的绿色有机转移层;和
位于所述第三光热转换层上的蓝色有机转移层。
10.根据权利要求9所述的供体基板,进一步包括:
位于所述第一凹槽的底面和所述第一光热转换层之间的第一底层;
位于所述第二凹槽的底面和所述第二光热转换层之间的第二底层;以及
位于所述第三凹槽的底面和所述第三光热转换层之间的第三底层。
11.根据权利要求10所述的供体基板,其中所述第一底层、所述第二底层和所述第三底层中的每一个包括从由硅、丙烯酰基类树脂、聚酰亚胺类树脂、硅氧烷类树脂、苯并环丁烯、硅氧化物和金属氧化物组成的组中选择的至少一种。
12.根据权利要求10所述的供体基板,其中所述第一底层、所述第二底层和所述第三底层中的每一个包括涂层和热辐射层。
13.一种制造供体基板的方法,所述方法包括:
在基板上形成凹槽和隔离结构,所述隔离结构由所述凹槽限定;
在所述凹槽上形成底层;
在所述底层上形成光热转换层;以及
在所述光热转换层上形成有机转移层。
14.根据权利要求13所述的制造供体基板的方法,其中,所述凹槽和所述隔离结构的形成包括:
在所述基板上形成掩膜;以及
使用所述掩膜部分地去除所述基板,以形成所述凹槽和所述隔离结构。
15.根据权利要求13所述的制造供体基板的方法,其中所述凹槽和所述隔离结构的形成包括喷砂工艺、干式蚀刻工艺或湿式蚀刻工艺。
16.根据权利要求13所述的制造供体基板的方法,其中所述底层的形成包括:喷嘴印刷工艺、喷墨印刷工艺、刮墨刀印刷工艺、胶版印刷工艺或生片层压工艺。
17.根据权利要求13所述的制造供体基板的方法,其中所述光热转换层的形成包括:喷嘴印刷工艺、喷墨印刷工艺、刮墨刀印刷工艺、胶版印刷工艺、凹版印刷工艺、凹版胶印工艺或狭缝印刷工艺。
18.根据权利要求13所述的制造供体基板的方法,其中所述光热转换层的形成包括:生片层压工艺、层压工艺或转移工艺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





