[发明专利]高频特性测定装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于测定器件的高频特性的高频特性测定装置。

背景技术

在专利文献1中，公开了具有一个传送信号的探针（下面，仅称为探针）的共面型的高频特性测定装置。

专利文献1:日本特开2005-223170号公报。

发明内容

例如在大型的器件等中，有在输入侧及输出侧分别具有多个焊盘的器件。共面型的高频特性测定装置具有一个探针，因此无法测定具有多个焊盘的器件的高频特性。

具有多个焊盘的器件在将该器件安装到封装件后测定高频特性。因此，要测定具有多个焊盘的器件的高频特性时需要成本和时间。

本发明为解决上述课题而构思，其目的在于提供低成本且短时间内测定器件的高频特性的高频特性测定装置。

本申请的高频特性测定装置，是将探针抵到安装前的器件上测定高频特性的高频特性测定装置，其特征在于，包括：输入匹配电路基板，形成有输入匹配电路；第一同轴连接器，与该输入匹配电路基板电连接；多个第一探针，与该输入匹配电路基板电连接；输出匹配电路基板，形成有输出匹配电路；第二同轴连接器，与该输出匹配电路基板电连接；以及多个第二探针，与该输出匹配电路基板电连接。

依据本发明，由于在高频特性测定装置形成有多个探针，所以能够在安装到封装件之前测定具有多个焊盘的器件的高频特性。

附图说明

图1是示出本发明实施方式1的高频特性测定装置的图；

图2是示出高频特性测定装置的成为测定对象的晶体管的图；

图3是示出以本发明实施方式1的高频特性测定装置测定晶体管的高频特性的图；

图4是示出本发明实施方式2的高频特性测定装置的图；

图5是示出本发明实施方式2的高频特性测定装置的变形例的图；

图6是示出本发明实施方式3的高频特性测定装置的图；

图7是示出本发明实施方式3的高频特性测定装置的变形例的图；

图8是示出本发明实施方式4的高频特性测定装置的剖视图；

图9是示出本发明实施方式5的高频特性测定装置的图；

图10是示出本发明实施方式6的高频特性测定装置的图；

图11是示出本发明实施方式7的高频特性测定装置的图；

图12是示出本发明实施方式8的高频特性测定装置的图。

具体实施方式

实施方式1

图1是示出本发明实施方式1的高频特性测定装置的图。高频特性测定装置10具备输入部分12和输出部分32。输入部分12具备第一板14。第一板14是用金属覆盖表面的板。在第一板14上固定着第一连接基板16。在第一连接基板16形成有多个焊盘18。多个焊盘18各自用导电性的材料形成。在焊盘18固定着第一探针20。第一探针20形成多个。而且，一个焊盘18上固定着一个第一探针20。如此，在第一连接基板16的焊盘18上固定着第一探针20。

第一板14上固定着形成输入匹配电路的输入匹配电路基板22。在输入匹配电路基板22和焊盘18上以连接它们的方式固定着第一金属丝24。输入匹配电路基板22和多个第一探针20用多个第一金属丝24电连接。此外，第一同轴连接器26与输入匹配电路基板22电连接。第一同轴连接器26与外部的调谐器等连接。

接着，对输出部分32进行说明。输出部分32具备第二板34。第二板34是以金属覆盖表面的板。在第二板34上固定着第二连接基板36。在第二连接基板36形成有多个焊盘38。多个焊盘38各自用导电性的材料形成。在焊盘38上固定着第二探针40。第二探针40形成多个。而且，在一个焊盘38上固定着一个第二探针40。如此，在第二连接基板36的焊盘38上固定着第二探针40。

在第二板34固定着形成输出匹配电路的输出匹配电路基板42。在输出匹配电路基板42和焊盘38上以连接它们的方式固定着第二金属丝44。输出匹配电路基板42和多个第二探针40用第二金属丝44电连接。此外，第二同轴连接器46与输出匹配电路基板42电连接。第二同轴连接器46与外部的调谐器等连接。

图2是示出高频特性测定装置的成为测定对象的晶体管的图。晶体管50是形成在晶片上的器件。将安装前的、器件形成在晶片上的状态称为“在片（on-wafer）”。在片的晶体管50具备多个栅极焊盘52和多个漏极焊盘54。晶体管50的沟道区56沿着晶体管50的长度方向延伸。