[发明专利]一种无源超结半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种无源超结半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料构成；

漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；

无源第二导电半导体材料区，为条状第二导电半导体材料，位于漂移层中，垂直于衬底层，与第一导电半导体材料交替排列构成，并且无源第二导电半导体材料区上表面临靠绝缘材料或者第一导电半导体材料；

有源第二导电半导体材料区，位于漂移层上表面，为第二导电半导体材料，并且与无源第二导电半导体材料区不相连。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的半导体材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的无源第二导电半导体材料区的高度大于等于漂移层厚度的二分之一。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的无源第二导电半导体材料区与漂移层的第一导电半导体材料在接反向偏压时可以形成电荷补偿。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的无源第二导电半导体材料区的俯视图可以为多边形结构、蜂窝结构或者条状结构。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的绝缘材料可以为二氧化硅。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的绝缘材料可以位于半导体装置表面。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的有源第二导电半导体材料区为高浓度杂质掺杂区域。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的有源第二导电半导体材料区与无源第二导电半导体材料区之间通过第一导电半导体材料相连。

10.如权利要求1所述的一种无源超结半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成一种绝缘介质；

2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

3)在沟槽内形成第二导电半导体材料，进行表面平整化；

4)在半导体材料表面形成第一导电半导体材料层；

5)注入杂质，然后进行退火工艺。